垂直光电二极管制造技术

本公开的实施例涉及垂直光电二极管。垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半导体材料层中。垂直光电二极管光学地耦合到在半导体材料层中形成的波导。半导体材料层中形成的波导。半导体材料层中形成的波导。

【技术实现步骤摘要】
垂直光电二极管
[0001]分案申请说明
[0002]本申请是申请日为2019年3月6日、申请号为201910169544.3、专利技术名称为“垂直光电二极管”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0003]本公开涉及光子学，并且更具体地涉及光信号到电信号的转换器或光电转换器。

技术介绍

[0004]光纤使得数据能够以光信号的形式传送，光信号然后被转换成电信号。
[0005]通过光纤的数据传送的速度受分别位于光纤的上游和下游的电光转换器(由电信号对光载波的调制器)和光电转换器(解调器或光检测器)的限制。

技术实现思路

[0006]一个实施例提供了一种垂直光电二极管，该垂直光电二极管包括有源区，该有源区的所有接触区从有源区上方移位。
[0007]根据一个实施例，有源区由锗区的本征的下部分、锗区的具有第一导电类型的掺杂的上部分形成，有源区被形成在半导体材料层中。
[0008]根据一个实施例，锗区的上部分的横向壁与第一导电类型的第一掺杂区域接触，第一区域在半导体材料层的上表面之上延伸。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直光电二极管，包括：半导体材料层，具有上表面；绝缘沟槽，从所述上表面延伸到所述半导体材料层中；有源区，位于在所述绝缘沟槽的第一侧处的所述半导体材料层内，所述有源区包括由以下形成的二极管：锗区，包括本征的下部分和用第一导电类型掺杂的上部分，以及第二导电类型的掺杂区域；其中所述第二导电类型的所述掺杂区域在所述绝缘沟槽下方延伸；所述第一导电类型的第一掺杂接触区域，横向接触所述锗区的所述上部分，所述第一掺杂接触区域在所述半导体材料层的所述上表面之上延伸；第一接触焊盘，被定位成与所述第一掺杂接触区域接触；所述第二导电类型的第二掺杂接触区域，与所述第二导电类型的掺杂区域接触，所述第二掺杂接触区域在所述沟槽的与所述第一侧相对的第二侧处延伸；以及第二接触焊盘，被定位成与在所述半导体材料层的所述上表面处的所述第二掺杂接触区域接触。2.根据权利要求1所述的光电二极管，其中所述第一掺杂接触区域在所述锗区的所述上部分与所述第一接触焊盘之间存在不与所述第一接触焊盘接触的部分。3.根据权利要求1所述的光电二极管，其中所述第一掺杂接触区域和所述第二掺杂接触区域由硅制成。4.根据权利要求1所述的光电二极管，其中所述第二掺杂接触区域至少部分地由硅锗制成。5.根据权利要求1所述的光电二极管，其中所述绝缘沟槽的深度低于所述锗区的所述下部分的底部。6.根据权利要求1所述的光电二极管，还包括位于所述锗区和所述绝缘沟槽的所述第一侧之间的本征硅区域。7.根据权利要求1所述的光电二极管，还包括与所述锗区的所述下部分和所述第二导电类型的所述掺杂区域两者接触的本征硅区。8.根据权利要求1所述的光电二极管，其中所述第二导电类型的所述掺杂区域由硅制成。9.根据权利要求1所述的光电二极管，其中所述第二导电类型的所述掺杂区域至少部分地由硅锗制成。10.一种垂直光电二极管，包括：有源区，包括二极管；其中所述有源区由锗区的本征的下部分和所述锗区的用第一导电类型掺杂的上部分形成在半导体材料层中；第一接触焊盘和第二接触焊盘，被电耦合至所述二极管，其中所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘位于远离所述有源区横向移位的位置处；绝缘沟槽，将所述有源区与所述第二接触焊盘分开；以及本征硅区，位于所述有源区和所述绝缘沟槽之间。11.根据权利要求10所述的光电二极管，还包括在所述半导体材料层中的所述第一导
电类型的第一掺杂区域，其中所述第一掺杂区域与所述锗区的所述上部分的横向壁接触，并且其中所述第一接触焊盘被定位成与所述第一掺杂区域的上表面接触。12.根据权利要求11所述的光电二极管，其中所述第一掺杂区域的未由所述第一接触焊盘覆盖的部分位于所述有源区和所述第一接触焊盘之间。13.根据权利要求11所述的光电二极管，还包括在所述半导体材料层中的第二导电类型的第二掺杂区域，其中所述第二掺杂区域与所述锗区的所述下部分接触，并且其中所述第二接触焊盘被定位成与所述第二掺杂区域的上表面接触。14.根据权利要求13所述的光电二极管，其中所述第一掺杂区域和所述第二掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：