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本公开的实施例涉及垂直光电二极管。垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半导体材料层中。垂直光电二极管光学地耦...
该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司授权不得商用。

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