一种基于硫化镉/二硒化钨异质结的光电晶体管及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于光电晶体管技术领域，公开了一种基于硫化镉/二硒化钨异质结的光电晶体管及其制备方法和应用。该光电晶体管是基于CdS/WSe2异质结的光电晶体管，其结构为源电极/CdS/WSe2异质结/漏电极和栅电极，该CdS/WSe2异质结是通过聚乙烯醇法转移法制备，使CdS纳米片与WSe2纳米片充分接触，然后在CdS/WSe2异质结结区外的CdS纳米片和WSe2纳米片边缘制作源电极和漏电极；栅电极为硅片衬底。该光电晶体管实现了有效的载流子栅压调控。在

【技术实现步骤摘要】
一种基于硫化镉/二硒化钨异质结的光电晶体管及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于电子器件
，更具体地，涉及一种基于硫化镉/二硒化钨(CdS/WSe2)异质结的光电晶体管及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]二维材料层状结构，如过渡金属硫族化合物(TMDs)，由于其独特的电子和光电特性而受到了极大的关注。此外，由于二维材料间的堆积无需考虑晶格失配的问题，以此实现二维材料范德华(vdW)异质结构的设计与制备，进一步得到新的多功能器件。异质结构由于其能带排列的多样性，将产生具有多种物理特性的界面，这有助于开发新的器件结构，从而实现独特的功能，其中包括隧穿晶体管、柔性电子器件和光电器件。由于二维材料无表面悬挂键，从而可以使vdW与不同维度的材料相互作用，形成混合维度的vdW异质结构。混合维vdW异质结构允许材料的各种选择自由度，并可能提供一种有效的方法来补偿二维晶体的内在弱点，以充分发挥其潜力。异质结构可以整合两种不同材料的各自优势，从而提高设备性能，甚至带来多样性和新颖性。
[0003]传统半导体通常通过化学掺杂离子来调控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于硫化镉/二硒化钨异质结的光电晶体管，其特征在于，所述光电晶体管是基于CdS/WSe2异质结的光电晶体管，其结构为源电极/CdS/WSe2异质结/漏电极和栅电极，所述CdS/WSe2异质结是通过聚乙烯醇干法转移法制备，然后在CdS/WSe2异质结结区外的CdS纳米片和WSe2纳米片边缘制作源电极和漏电极；所述栅电极为硅片衬底。2.根据权利要求1所述的基于硫化镉/二硒化钨异质结的光电晶体管，其特征在于，所述CdS/WSe2异质结中CdS纳米片的厚度为80～100nm；WSe2纳米片的厚度为15～30nm。3.根据权利要求1所述的基于硫化镉/二硒化钨异质结的光电晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极均为Ti和Au，所述Ti和Au的厚度分别为8～12nm和45～50nm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的基于硫化镉/二硒化钨异质结的光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：S1.采用机械剥离法剥离WSe2晶体，在硅片衬底上得到多层WSe2纳米片；S2.将WSe2纳米片采用聚乙烯醇干法转移到干净的Si/SiO2衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，黄允，韩晓宁，张玉碧，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：