异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法技术

本公开的各实施例总体上涉及异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法。一种异质外延半导体器件包括种子层、分离层、异质外延结构和第一介电材料层，种子层包括第一半导体材料，种子层包括第一面、相对的第二面以及连接第一面和第二面的侧面，分离层布置在种子层的第一面处，分离层包括孔，异质外延结构至少在孔中生长在种子层的第一面处并且包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料，第一介电材料层布置在种子层的第二面处并且覆盖种子层的侧面。盖种子层的侧面。盖种子层的侧面。

【技术实现步骤摘要】
异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法


[0001]本公开总体上涉及异质外延半导体器件以及用于制造这种异质外延半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]异质外延半导体器件可以例如包括第一半导体材料的层(即，种子层)和异质外延生长在种子层上的结构，其中该结构包括不同的第二半导体材料。这种异质外延半导体器件例如可以是图像传感器的一部分，特别是图像传感器的像素的一部分。第一半导体材料例如可以是Si并且第二半导体材料例如可以是Ge。由于该技术具有出色的光学特性，因此特定类型的这样的图像传感器被配置用于背面照明(BSI)。可能需要使用晶体缺陷尽可能少的异质外延结构，因为否则传感器质量会受到负面影响。这种晶体缺陷可能是由源自种子层与异质外延结构之间的边界的位错引起的。改进的异质外延半导体器件和改进的制造这种器件的方法可以有助于解决这些和其他问题。
[0003]本专利技术所基于的问题由独立权利要求的特征来解决。在从属权利要求中描述了另外的有利的示例。

技术实现思路

[0004]各个方面涉及一种异质外延半导体器件，该异质外延半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质外延半导体器件(100)，包括：种子层(110)，包括第一半导体材料，所述种子层(110)包括第一面(111)、相对的第二面(112)以及连接所述第一面(111)和所述第二面(112)的侧面(113)，分离层(120)，布置在所述种子层(110)的所述第一面(111)处，所述分离层(120)包括孔(150)，异质外延结构(130)，至少在所述孔(150)中生长在所述种子层(110)的所述第一面(111)处，并且包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料，以及第一介电材料层(140)，布置在所述种子层(110)的所述第二面(112)处并且覆盖所述种子层(110)的所述侧面(113)。2.根据权利要求1所述的异质外延半导体器件(100)，其中所述异质外延结构(130)包括布置在所述孔(150)内的主干部分(131)和布置在所述主干部分(131)和所述分离层(120)之上的顶部部分(132)，其中所述主干部分(131)的横向延伸部小于所述顶部部分(132)的横向延伸部，所述横向延伸部是平行于所述种子层(110)的所述第一面(111)测量的。3.根据权利要求2所述的异质外延半导体器件(100)，其中所述顶部部分(132)具有基本上金字塔形的形状。4.根据权利要求2或3中一项所述的异质外延半导体器件(100)，其中所述主干部分(131)的纵横比在100:1至1:100的范围内，特别是在1:1至1:10的范围内。5.根据前述权利要求中一项所述的异质外延半导体器件(100)，其中所述种子层(110)的、平行于所述种子层(110)的所述第一面(111)被测量的横向尺寸在10μm以下，特别是在5μm以下。6.根据前述权利要求中一项所述的异质外延半导体器件(100)，其中所述第一半导体材料是Si并且所述第二半导体材料是Ge。7.根据前述权利要求中一项所述的异质外延半导体器件(100)，其中所述分离层(120)包括掩埋介电材料层。8.根据前述权利要求中一项所述的异质外延半导体器件(300)，还包括：一个或多个晶体管或二极管结构(...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：