【技术实现步骤摘要】
双梯度调控的量子点光伏型探测器及其制备方法
[0001]本公开涉及光电传感
,尤其涉及一种双梯度调控的量子点光伏型探测器及其制备方法。
技术介绍
[0002]在光电探测领域中,红外光电探测器被广泛应用于热成像、材料光谱分析、自动驾驶助手、监测和生物健康监测等领域。
[0003]其中,在传统的红外商业光电探测器中,主要采用分子束外延技术进行制备,再通过倒装键合的方式与硅基读出电路耦合。但是采用这样的加工方法导致制备周期长,生产速率慢且材料加工成本高,同时倒装键合的方式键合成功率低,所以基于其制备复杂性高、产量低、成本高,使得其应用范围受限,一般仅限于军事和科学研究,而无法进行大规模应用。对此,通过使用碲化汞(HgTe)胶体量子点替代外延半导体而制备的短波、中波光伏型红外探测器,由于采用异质结进行掺杂,使得异质结中的掺杂层与量子点层材料的类型不同,存在晶格不匹配以及界面传输的问题,会影响光生载流子的传输效率,进而影响器件的性能。
技术实现思路
[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题,本公开提供了一种双梯度调控的量子点光伏型探测器及其制备方法。
[0005]本公开提供了一种双梯度调控的量子点光伏型探测器,包括:
[0006]基底;
[0007]第一电极,设置在所述基底的一侧;
[0008]量子点层,设置在所述第一电极背离所述基底的一侧;
[0009]第二电极,设置在所述量子点层背离所述第一电极的一侧;
[0010]其中,所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双梯度调控的量子点光伏型探测器,其特征在于,包括:基底;第一电极,设置在所述基底的一侧;量子点层,设置在所述第一电极背离所述基底的一侧;第二电极,设置在所述量子点层背离所述第一电极的一侧;其中,所述量子点层包括沿所述第一电极指向所述第二电极的方向依次层叠设置的至少一层第一类型量子点层、至少一层弱第一类型量子点层、至少一层本征型量子点层、至少一层弱第二类型量子点层以及至少一层第二类型量子点层;所述第一类型为N型,所述第二类型为P型,且沿所述第一电极指向所述第二电极的方向,各类型量子点层的带隙依次增大;或者,所述第一类型为P型,所述第二类型为N型,且沿着所述第一电极指向所述第二电极的方向,各类型量子点层的带隙依次减小。2.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于,所述至少一层第一类型量子点层的响应波段为长波,所述至少一层弱第一类型量子点层的响应波段为中波;所述至少一层本征型量子点层包括沿所述第一电极指向所述第二电极的方向依次层叠设置的第一本征型量子点层、第二本征型量子点层和第三本征型量子点层,所述第一本征型量子点层、第二本征型量子点层的响应波段均为中波,所述第三本征型量子点层的响应波段为短波;所述至少一层弱第二类型量子点层的响应波段和所述至少一层第二类型量子点层的响应波段均为短波;其中,长波对应的波长等于或大于5微米,中波对应的波长小于5微米,且等于或大于3微米,短波对应的波长小于3微米。3.根据权利要求1或2所述的探测器,其特征在于,N型量子点层的响应波长为10微米;弱N型量子点层的响应波长为5微米;所述第一本征型量子点层的响应波长为5微米,所述第二本征型量子点层的响应波长为3微米,所述第三本征型量子点层的响应波长为2微米;弱P型量子点层的响应波长为2微米;P型量子点层的响应波长为1.5微米。4.根据权利要求3所述的探测器,其特征在于,所述N型量子点层的厚度为50nm~70nm;所述弱N型量子点层的厚度为30nm~50nm;单层所述本征型量子点层的厚度为80nm~120nm;所述弱P型量子点层的厚度为30nm~50nm;所述P型量子点层的厚度为50nm~70nm。5.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于,所述基底包括读出电路基底;所述探测器还包括:信号处理电路;所述信号处理电路与所述读出电路基底连接;所述信号处理电路用于基于所述读出电路基底传输的光电响应信号,确定目标探测物的信息。6.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于,所述量子点层均为碲化汞量子点层。7.一种双梯度调控的量子点光伏型探测器的制备方法,其特征在于,用于制备权利要求1
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6任一项所述的探测器;所述方法包括:
提供基底;所述基底的一侧形成有第一电极;基于液相配体交换制备至少一种第一类型量子点、至少一种弱第一类型量子点、至少一种本征型量子点、至少一种弱第二类型量子点以及至少一种第二类型量子点;利用液相配体交换制备的量子点,在所述第一电极背离所述基底的一侧依次形成量子点层,并进行固态配体交换;所述量子点层包括至少一层第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈梦璐,郝群,唐鑫,薛晓梦,陈轶哲,
申请(专利权)人:北京理工大学,
类型:发明
国别省市:
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