温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的各实施例总体上涉及异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法。一种异质外延半导体器件包括种子层、分离层、异质外延结构和第一介电材料层，种子层包括第一半导体材料，种子层包括第一面、相对的第二面以及连接第一面和第二面的侧面，分离层...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。