基于PbSCQDs/ZnO-NWs复合结构红外探测器及其制备方法技术

基于PbS CQDs/ZnO

【技术实现步骤摘要】
基于PbS CQDs/ZnO
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NWs复合结构红外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及红外探测
，尤其涉及一种高性能PbS CQDs/ZnO
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NWs复合结构红外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]在红外光感应材料中，PbS胶体量子点（PbS CQDs）具有尺寸可调、带隙可控，以及廉价的溶液加工工艺而被广泛应用于红外光电探测器的设计和开发。然而，由于PbS CQDs载流子迁移率相对较低，无法满足作为红外材料使用的性能要求，因此需要找出一种可以降低光生载流子复合的材料，用以提高器件的光响应性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于解决PbS CQDs载流子迁移率相对较低，无法满足作为红外材料使用的性能要求的问题，提出一种高性能PbS CQDs/ZnO
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NWs复合结构红外探测器及其制备方法。
[0004]基于PbS CQDs/ZnO
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NWs复合结构的红外探测器，从上至下依次是衬底、阳极层、功能层以及阴极层，其特征在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于PbS CQDs/ZnO
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NWs复合结构的红外探测器，从上至下依次是衬底、阳极层、功能层以及阴极层，其特征在于功能层为PbS CQDs/ZnO
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NWs复合层。2.基于PbS CQDs/ZnO
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NWs复合结构的红外探测器制备方法，包括如下步骤:S1，清洗ITO石英衬底；S2，室温下，在衬底上旋涂一层ZnO籽晶层溶液，然后在300
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320℃加热约1
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1.5h；S3，将加热后的旋涂有ZnO籽晶层的衬底放至室温，然后在80
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90℃进行ZnO
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NWs生长5
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6h;S4，在ZnO
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NWs阵列上旋涂PbS CQDs溶液，形成PbS CQDs/ZnO
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NWs复合层；S5，热蒸镀Al作为阴极层。3.如权利要求2所述的基于PbS CQDs/ZnO
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NWs复合结构的红外探测器制备方法，其特征在于步骤S2中，ZnO籽晶层溶液由1.1
‑
1...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐利斌，钟和甫，田品，余黎静，左文彬，姬荣斌，
申请(专利权)人：昆明物理研究所，
类型：发明
国别省市：