X射线检测器制造技术

本公开的各实施例涉及一种X射线检测器，包括具有NPN型双极晶体管的第一电路以及第二电路，第二电路被配置成将NPN型双极晶体管的端子处的电压与参考值进行比较，所述参考值基本等于当第一电路已经暴露于阈值量的X射线时会出现的端子电压的值。会出现的端子电压的值。会出现的端子电压的值。

【技术实现步骤摘要】
X射线检测器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月20日提交的第2011963号法国专利申请的优先权，该申请在法律允许的最大范围内通过引用并入本文。


[0003]本说明总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及包括X射线检测电路的设备。

技术介绍

[0004]X射线是高频电磁辐射的形式，由具有从几百eV(电子伏特)到几MeV的能量变化的光子形成。
[0005]X射线可能对电子设备的操作具有负面影响。为此，电子设备制造商通常建议不让设备例如蜂窝电话经受大量的X射线。这些电子设备的保修通常不包括由X射线引起的损坏。需要检测X射线对设备的施加。

技术实现思路

[0006]实施例克服了已知X射线检测器的缺点中的全部或部分。
[0007]实施例提供了一种X射线检测器，包括：第一电子电路，包括第一NPN型双极晶体管；以及第二电路，被配置成将第一电子电路的电压与参考值进行比较，该参考值基本等于当第一电子电路已经接收到阈值量的X射线时会出现的电压的值。
[0008]另一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种X射线检测器，包括：第一电路，包括第一NPN型双极晶体管；以及第二电路，被配置成将所述第一电路的电压与参考值进行比较，所述参考值基本等于当所述第一电路已经接收到阈值量的X射线时会出现的所述电压的值。2.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述电压是所述第一NPN型双极晶体管的端子中的一个端子处的电压。3.根据权利要求2所述的检测器，其中，所述端子中的所述一个端子是所述第一NPN型双极晶体管的发射极。4.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述电压在X射线不存在的情况下在所述设备的操作期间基本恒定。5.根据权利要求1所述的检测器，其中，X射线的所述阈值量是10戈瑞。6.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述第一电路被配置成使得在所述检测器的操作期间，所述第一NPN型双极晶体管的基极上的电压处于值的范围内，对于所述值的范围，未接收到X射线的所述第一NPN型双极晶体管与接收到所述阈值量的X射线的所述第一NPN型双极晶体管之间的增益差大于10。7.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述第一电路被配置成使得在所述检测器的操作期间，所述第一NPN型双极晶体管的基极电压处于值的范围内，对于所述值的范围，未接收到X射线的所述第一NPN型双极晶体管的增益是接收到所述阈值量的X射线的所述第一NPN型双极晶体管的增益的至少1.5倍大。8.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述第一电路包括两个分支，第一分支包括串联耦接的第一晶体管和第一NPN型双极晶体管，并且第二分支包括串联耦接的第二晶体管和第二NPN型双极晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管耦接为电流镜，使得流过所述第一NPN型双极晶体管和所述第二NPN型双极晶体管的电流基本相等。9.根据权利要求8所述的检测器，其中，所述第一NPN型双极晶体管和所述第二NPN型双极晶体管的基极通过电阻器耦接。10.根据权利要求9所述的检测器，其中，所述第一NPN型双极晶体管和所述第二N...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：