光电二极管以及半导体结构制造技术

本公开涉及一种光电二极管以及半导体结构，该光电二极管包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随着与p‑n结相距的距离的增加而增加。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管以及半导体结构相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月19日提交的法国专利申请号18/73335的优先权，其内容在法律允许的最大范围内通过引用整体并入本文。
本公开总体涉及电子电路，并且更具体地涉及单光子雪崩光电二极管或SPAD(单光子雪崩二极管)光电二极管。
技术介绍
SPAD光电二极管包括p-n结，该p-n结被反向偏置到超过该结的击穿电压或雪崩电压的电压。在该偏置电压处，p-n结周围的电场足以使光生载流子到达结的空间电荷区或耗尽区，从而触发雪崩现象，该雪崩现象转变成光电二极管中电流的增加。SPAD光电二极管用作光电探测器。具体地，它们使得可以检测光电二极管对单个光子的接收。
技术实现思路
需要一种SPAD光电二极管，其解决已知SPAD光电二极管的缺点中的全部或某些缺点。在一些实施例中，所公开的技术的SPAD光电二极管适合于检测例如约950nm至约1500nm之间(优选地，950nm至1500nm之间)的近红外中的光子。在一些实施例中，所公开的技术的SPAD光电二极管适合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电二极管，其特征在于，包括：/n第一部分，由硅制成，所述第一部分包括第一层和第二层的堆叠，所述第一层掺杂有第一导电类型，所述第二层掺杂有第二导电类型；以及/n第二部分，由锗制成，并且与所述第一部分的所述第二层接触，所述第二部分掺杂有所述第二导电类型，并且所述第二部分的掺杂水平朝向所述第二部分相对于所述第一部分的远端表面增加。/n

【技术特征摘要】
20181219 FR 18733351.一种光电二极管，其特征在于，包括：
第一部分，由硅制成，所述第一部分包括第一层和第二层的堆叠，所述第一层掺杂有第一导电类型，所述第二层掺杂有第二导电类型；以及
第二部分，由锗制成，并且与所述第一部分的所述第二层接触，所述第二部分掺杂有所述第二导电类型，并且所述第二部分的掺杂水平朝向所述第二部分相对于所述第一部分的远端表面增加。


2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一层和所述第二层形成p-n结。


3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第二部分相对于所述第一部分竖直定位。


4.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一部分还包括掺杂有所述第一导电类型的第三层，所述第三层部分地设置在所述第二层与所述第二部分之间，并且与所述第二部分接触。


5.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述第一部分的所述第一层和所述第二层的掺杂水平以及所述第二部分的所述掺杂水平被配置为使得：在超过所述p-n结的雪崩电压的、所述光电二极管的给定偏置电压处，所述第二层在所述p-n结与所述第二部分之间跨越所述第二层的整个厚度被耗尽。


6.根据权利要求5所述的光电二极管，其特征在于，所述掺杂水平还被配置为使得：在所述给定偏置电压处，锗的所述第二部分没有被耗尽。


7.根据权利要求5所述的光电二极管，其特征在于，所述掺杂水平还被配置为使得：在所述给定偏置电压处，所述第一部分与所述第二部分之间的界面被耗尽。


8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述掺杂水平还被配置为使得：在所述给定偏置电压处，与所述第一部分和所述第二部分之间的异质结相对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·本哈穆，D·格兰斯基，D·里多，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR