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本公开涉及一种光电二极管以及半导体结构，该光电二极管包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随着与...
该专利属于意法半导体(克洛尔2)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(克洛尔2)公司授权不得商用。

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