本发明提供的具有全方位反射镜的发光二极管及其相应的制造方法，所述具有全方位反射镜的发光二极管由下至上依次包括衬底、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极和有源层、所述有源层上形成的p型GaN层、所述p型GaN层上形成的ODR结构，以及...

本发明揭示了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：第一类型外延层；发光外延层设置于所述第一类型外延层一侧；第二类型外延层设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层一侧，所述第二类型外延层包括第二类型被覆层和第二类型接触层，所述第...

本发明揭示了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：第一类型外延层；发光外延层，设置于所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层一侧；沟槽，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧，...

本发明揭露了一种LED显示屏及其制造方法，所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片，每个像素之间的间隙可以得到有效的控制，从而提高了LED显示屏的清晰度。同时，将传统的倒装芯片工艺优化为在生成电极群之后继续生成电极层和绝缘层等结构，使...

本发明揭露了一种倒装LED芯片的结构及其制造方法，所述倒装LED芯片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底的正面形成倒装LED结构；刻蚀所述衬底的背面以形成图形化衬底；对所述图形化衬底进行粗化工艺，以使所述图形化衬底的背面为粗糙表面。这...

本发明揭露了一种叠层式LED芯片的结构及其制造方法，所述叠层式LED芯片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一层至第n层管芯，并在相邻层管芯之间形成透明导电层，n大于等于2；以及在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P...

本发明揭露了一种LED显示屏的结构及其制造方法，所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片。使用本发明提供的LED显示屏，每个像素之间的间隙可以得到有效的控制，从而提高了LED显示屏的清晰度。

本发明提供一种倒装LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，在衬底上沉积外延层，所述外延层包括N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层；刻蚀所述外延层，形成台阶阵列，所述台阶阵列暴露出N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成第一金属层；对...

本发明揭露了一种LED外延片及其制造方法，LED外延片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层生长应力释放层；在所述应力释放层生长保护层，所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致；在所述保护层上生长第二氮...

本发明揭露了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片的制造方法，在蓝宝石衬底的一面形成外延层，在所述蓝宝石衬底的另一面上形成阵列排布的棱台，并在所述蓝宝石衬底形成有棱台的一面上形成反射层。这样通过在反射层上的二次反射改变光在LED芯片...

本发明提供一种倒装光子晶体LED芯片的制造方法，包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括外延生长面和出光面；在所述初始衬底的外延生长面进行纳米压印工艺，形成纳米级图形化衬底；在所述纳米级图形化衬底的外延生长面上形成倒装LED结构；在所述纳米...

本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用电沉积工艺沉积金属，形成金属纳米颗粒，所述金属与导电层的材质不同，所述电沉积工艺时间远小于电沉积工艺形成薄膜的时间；以所述金属纳米颗粒作...

本发明提供一种LED及其制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成介质层；在所述介质层中形成凸点；外延生长第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的厚度小于等于所述凸点的高度；去除所述凸点，形成空洞；外延生长第二氮化镓层，形成掩埋空洞。光在掩埋空...

本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成金属层；对所述金属层进行退火工艺，自组装成图形化的金属层；以图形化的金属层为掩膜，刻蚀所述衬底；去除所述图形化的金属层，形成纳米级图形化衬底。该方法利用退火工艺使...

本发明揭露了一种高压倒装LED芯片及其制造方法，所述LED芯片的制造方法在刻蚀外延层，形成电极孔洞阵列之后；利用激光切割外工艺切割外延层至衬底，形成隔离槽，隔离出发光单元；然后在P型氮化镓层上形成金属反射镜层；在金属反射镜层和电极孔洞阵...

本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用电沉积工艺沉积金属，形成金属纳米颗粒，所述金属与导电层的材质不同，所述电沉积工艺时间远小于电沉积工艺形成薄膜的时间；以所述金属纳米颗粒作...

本发明揭露了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片在有源层与其相邻层的界面上形成有第一金属纳米颗粒阵列。第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒受到有源层的发出的光的激发，为有源层提供了额外的量子阱局域态，因此减少了电子通过缺陷能级与空穴...

本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩膜层；在掩膜层上旋涂或喷洒金属纳米颗粒，掩膜层的比热容大于金属纳米颗粒的比热容，金属纳米颗粒的熔点大于掩膜层的熔点；利用激光照射金属纳米颗粒，使金属纳米颗粒的温...

本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，该方法先利用多孔阳极氧化铝在掩膜层上形成排布均匀的金属纳米颗粒，使用激光对金属纳米颗粒进行升温，使金属纳米颗粒的温度达到掩膜层的熔点，从而熔化与金属纳米颗粒接触的掩膜层，达到图形化掩膜层的目的，...

本发明揭露了一种LED显示屏的结构及其制造方法，所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片，所述LED芯片包括：衬底、形成在衬底上的管芯、P电极群和N电极群，所述管芯由隔离沟道划分出像素点单元，所述P电极群分布在每个像素点单元的中央，N...