本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；其中，所述衬底邻近...

本发明公开了一种LED封装结构，该LED封装结构采用LED器件模块结构，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本；且所述LED模块采用垂直电极结构，可直接进行正装封装，提高了LED的整...

本发明公开了一种白光LED照明装置，用于给植物提供光照，该白光LED照明装置包括蓝紫光LED以及形成在所述蓝紫光LED上的红光荧光粉；所述白光LED照明装置具有发光峰值波长为400～520nm的蓝紫光谱，以及发光峰值波长为600～750...

本发明公开了一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，该方法包括划片槽光刻；两步感应耦合等离子体干法刻蚀分别对氮化镓和蓝宝石衬底进行刻蚀，形成划片槽；以及去除剩余的光刻胶，并对所述LED芯片进行清洗；从而避免了在划片过程中造成划片槽侧壁步平整...

本发明公开了一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，该方法在对LED芯片及蓝宝石衬底进行激光划片后，增加了刻蚀处理的步骤，对激光划片造成的划片槽的槽壁的损伤进行了修复，并去除了划片槽内的颗粒，从而提高了LED的发光效率。

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底，包括正面和与正面相对的背面，正面上具有多个凸起；依次形成于凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；形成于第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；形成...

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管制造方法包括：提供(100)晶面的硅衬底；在所述硅衬底上形成图形化掩膜层；以图形化掩膜层为掩膜湿法刻蚀硅衬底，将所述硅衬底的一部分转变为(111)晶面，从而使得所述硅衬底表面呈锥形；...

本发明公开了一种混合荧光粉，该混合荧光粉由以下成分组成，且各成分的重量比为：紫外光激发红光荧光粉：50％～75％，紫外光激发绿光荧光粉：25％～50％；本发明提供的混合荧光粉可利用蓝光LED光谱中的紫外光或紫光，激发其产生绿光和红光，所...

本发明公开了一种LED灯具控制系统，该系统包括可编程逻辑电路、遥控发射与接收单元及LED驱动电路单元，所述可编程逻辑电路单元提供不同的灯光效果模式供选择；所述遥控发射与接收单元对所述灯光效果模式进行选择，并根据所选择的灯光效果模式发送第...

本发明公开了一种LED照明装置，包括LED灯具、光传感器、可编程逻辑单元及可调电源，所述可调电源给LED灯具提供驱动电流；所述光传感器探测LED灯具的发光强度，根据发光强度发出第一信号；所述可编程逻辑单元根据第一信号与一第一恒定光强度值...

本发明公开了一种LED照明装置，包括LED灯具、温度传感器及可调电源；所述温度传感器探测LED灯具中的LED灯珠的工作温度，当探测到的温度达到最大容许温度值时，发出控制信号，所述可调电源根据所述控制信号调整其输出电流的大小；避免了因电源...

本发明公开了一种铝合金材料，该铝合金材料由铝合金原料制备而成，所述铝合金原料由以下成分组成，且各成分的重量比为：石墨烯：0.1％～1％，碳纳米管：1％～5％，其余为Al；本发明提供的铝合金材料的散热性能好，其热传导率大于200W/m℃；...

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；依次位于所述衬底上的外延层、有源层和帽层；其中，所述衬底在远离外延层的表面上具有多个微透镜结构，所述微透镜结构表面具有多个凸起。自有源层发出的光经所述微透镜结构表面或凸起...

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；依次位于所述衬底上的外延层、有源层和帽层；其中，所述衬底在远离外延层的表面上具有多个双焦距微透镜结构，自有源层发出的光经双焦距微透镜结构表面出射时，其入射角总是小于全反射...

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：蓝宝石衬底；依次位于所述蓝宝石衬底上方的外延层、有源层和帽层；其中，所述蓝宝石衬底在靠近外延层的表面上具有多个锥形结构。所述锥形结构可以增加蓝宝石衬底对光的反射，提高发光二极管...

本发明提供了一种发光装置及其制造方法，所述发光装置包括基座、倒装于所述基座上的发光二极管，所述发光二极管包括：连接于基座的发光二极管管芯以及位于发光二极管上的缓冲层；所述缓冲层相对于发光二极管的另一侧表面上设置有多个具有金字塔互补结构的...

一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：碳化硅衬底；依次位于碳化硅衬底上方的缓冲层、有源层、帽层；所述发光二极管还包括多个沟槽，所述沟槽的深度至少自所述帽层延伸至缓冲层顶部；所述发光二极管还包括位于所述沟槽内的透光元件。有源层发...

一种白色LED芯片及其形成方法，白色LED芯片，包括：硅衬底，依次位于硅衬底上的第一缓冲层，第一有源层，第一帽层；分别穿过第一缓冲层、第一有源层延伸至第一帽层的第一沟槽，在第一沟槽内具有第二缓冲层、第二有源层以及第二帽层；分别穿过第一缓...

一种白色LED芯片及其形成方法，白色LED芯片，包括：衬底，位于衬底上的第一缓冲层，位于第一缓冲层上的第一有源层，位于第一有源层上的第一帽层；第一沟槽，第一沟槽分别穿过第一缓冲层、第一有源层延伸至第一帽层，在第一沟槽内具有第二缓冲层、第...

一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：蓝宝石衬底；依次位于蓝宝石衬底上方的缓冲层、有源层、帽层；所述发光二极管还包括多个沟槽，所述沟槽的深度至少自所述帽层延伸至缓冲层顶部；所述发光二极管还包括位于所述沟槽内的透光元件。一种发光...