白色LED芯片及其形成方法技术

一种白色LED芯片及其形成方法，白色LED芯片，包括：硅衬底，依次位于硅衬底上的第一缓冲层，第一有源层，第一帽层；分别穿过第一缓冲层、第一有源层延伸至第一帽层的第一沟槽，在第一沟槽内具有第二缓冲层、第二有源层以及第二帽层；分别穿过第一缓冲层、第一有源层延伸至第一帽层的第二沟槽，在第二沟槽内具有第三缓冲层、第三有源层以及第三帽层；所述第一有源层、第二有源层、第三有源层分别选自蓝光有源层、绿光有源层以及红光有源层其中之一，且为不同色彩的有源层。本发明专利技术使一个LED芯片同时发出红、绿和蓝三种颜色光，在三种颜色光混合后可以发出白光；并且，使用晶向为沿(111)晶面偏离1～9°的硅衬底，可以减少缓冲层与硅衬底之间的位错。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明领域，尤其涉及一种白色LED芯片及其形成方法。
技术介绍
半导体发光二极管即LED (Light Emitting Diode)，是一种半导体固体发光器件。 它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量 而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫等色的光。LED根据发光颜色的不同，分为单色LED和白光LED。二十世纪八十年代出现了 超高亮度LED，早期的红色LED的衬底为不透明材料，发光效率为l-21umens/Watt (流明/ 瓦)；之后对其进行了改进，采用透明的衬底；在所有的超高亮度红色LED中，最好的模型 的效率约为91umens/Watt (流明/瓦)，光谱范围通常在650nm-640nm，驱动电流值通常在 30mA-50mA，在1. 5V电压时发光灰暗。随后开发了在GaP (磷化镓)衬底上形成的高效率红 色LED、橙红色LED以及橙色LED ；之后又开发了超亮度橙红色LED、橙色LED、黄色LED。第 一个绿色LED由GaP (磷化镓)形成，其效率为每瓦数十流明，最大驱动电流通常为30mA ； 随后出现本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种白色ＬＥＤ芯片，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底的晶向为沿晶向（１１１）方向偏离１～９°，位于所述硅衬底上的第一缓冲层，位于所述第一缓冲层上的第一有源层，位于所述第一有源层上的第一帽层；还包括：第一沟槽，所述第一沟槽分别穿过所述第一帽层、第一有源层延伸至第一缓冲层，在所述第一沟槽内具有第二缓冲层、第二有源层以及第二帽层，且所述第二缓冲层位于所述硅衬底上，所述第二有源层位于所述第二缓冲层上，所述第二帽层位于所述第二有源层上；第二沟槽，所述第二沟槽分别穿过所述第一帽层、第一有源层延伸至第一缓冲层，在所述第二沟槽内具有第三缓冲层、第三有源层以及第三帽层，且所述第三缓冲层位于所述硅衬底上，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张汝京，肖德元，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31