本发明提供一种低电压GaN基LED外延结构的制作方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上由下至上依次生长成核层、未掺杂GaN层及N型GaN层；在N型GaN层上生长超晶格结构；在超晶格结构上生长多量子阱结构；其中，生长多量子阱结构的生长Ga...

本发明提供一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构由下至上依次包括：导电衬底、金属键合层、反射层、电流阻挡层、P-GaN层、多量子阱层、N-GaN层及N电极。通过在所述P-GaN层表面上制备具有与所述N电极不同形状...

本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，外延结构包括：依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层，P型GaN层为由第一子P型G...

本发明提供一种GaN基LED外延结构的制备方法，所述制备方法包括制作依次层叠的成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格量子阱结构、由高温到低温逐渐变温生长的InGaN/GaN前置量子阱结构、多量子阱发光层结构、A...

本发明提供一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法，该方法通过将ITO透明导电层与N电极的垂直投影相对应的区域刻蚀掉，利用P型GaN层与P电极层之间的高接触电阻区域（肖特基接触）形成电流阻挡结构，得到的LED垂直芯片中，注入电流...

本发明提出了一种提高LED芯片电流扩展的方法及LED芯片，在高扩展透明导电层中形成多个孔洞，孔洞位于P电极尖端与形成在N电极平台上的N电极之间，从而能够解决P电极尖端电流易集中的问题，防止电流聚集，并且解决了高扩展透明导电层扩展引起的电...

本发明涉及一种具有图形化N电极的LED芯片，由于LED芯片之间的边缘区域处形成有反光极弱的阻挡层，将N电极扩展至阻挡层的正上方，一方面由于N电极扩展在光极弱的阻挡层上，不影响反射镜的反射效率；另一方面扩展的N电极能够使电流分布更加均匀，...

本实用新型提出了一种半导体清洗机台的加热系统，包括：若干个片加热片，加热片两个一组并联后再将并联的多组串联组成加热片组，加热片组外接电源。将若干个加热片中的任意两个一组并联，再将并联的多个组串联从而组成加热片组，减小单个加热片的负荷，延...

本发明提出了一种倒装LED芯片及其制备方法，提出的倒装LED芯片的制备方法具有免打线、散热性能好、电压低、亮度高、易封装等优势；相比较于其他倒装芯片，无需制备反射层、阻挡层、N链接层，使用设有图案的隔离层兼做反射层的作用，不需要制作面积...

本发明提出了一种全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法。全角度侧壁反射电极的LED芯片的P-GaN和量子阱层的侧壁设有斜坡，在斜坡上形成钝化层，接着在斜坡上形成N电极，N电极同时和N-GaN平面接触。由于N电极与钝化层的组合可以增强...

本发明提出一种ITO膜层的制备方法及LED芯片的制备方法，采用第一磁控溅射技术形成ITO保护层，由于在磁控溅射过程中等离子体轰击GaN基底会造成的GaN基底的N缺失，形成ITO保护层中增加有N+，能够补充N的缺失，从而消除了高溅射功率下...

本发明提出了一种垂直型LED芯片结构及其制备方法，在P-GaN层上依次形成透明导电接触层、设有分布图形的低折射率介质层和反射层三层组成的复合反射镜，可使低折射率介质层占复合反射镜较大的面积，能够大大降低反射镜对光的吸收比例，且由于透明导...

本发明提出了一种易封装高压倒装LED芯片及其制作方法，形成的互连金属将第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片的N型氮化镓层和P型氮化镓层依次串联起来，再形成第二隔离层进行隔离，在第二隔离层上形成N电极和P电极，N电极和P电极分别与暴露出的N...

本发明提出了一种改善LED效率下降的外延结构，包括衬底和依次堆叠在衬底上的GaN底层、超晶格应力释放层、多量子阱层、P型InGaN插入层、P型电子阻挡层以及P型GaN层。在多量子阱层最后一个势垒和P型电子阻挡层之间插入一层P型InGaN...

本发明提出了一种垂直型LED结构及其制作方法，在使用激光剥离去除生长衬底后，不再整面去除未掺杂层，仅在未掺杂层上形成沟槽并暴露出N-GaN，接着在沟槽内的N-GaN上形成N型电极，从而借助未掺杂层的保护，避免激光光斑交界对N-GaN造成...

本发明提出了一种垂直型LED结构及其制作方法，使用布拉格反射镜结构替换现有技术中的金属反射镜层作为反射镜，布拉格反射镜结构设有开口，能够确保接触层和金属键合层相连接，布拉格反射镜结构能够提高反射镜的热稳定性并且避免金属扩散，从而能够改善...

本发明提出了一种垂直型LED的制作方法，刻蚀现有的未掺杂层作为电流阻挡层，无需额外形成绝缘介质层，减少了工艺步骤，降低生产成本，同时，形成的电流阻挡层能够在大电流下提高垂直型LED的电流扩展，使电流分布均匀，从而提高垂直型LED的发光强度。

本发明提出了一种发光二极管、封装基板结构及封装方法，将发光二极管的P型电极和N型电极的连接端设置在同一端，同时在封装基板结构中设有插槽，插槽内设有连接金属，在进行封装时，将发光二极管设有连接端的一端插装至封装基板结构中的插槽中，避免了打...

本发明提出了一种通孔垂直型LED的制作方法，在形成N电极和P电极之前，采用通孔技术，在所述键合衬底、连接层和外延层内形成通孔，通孔暴露出N-GaN或透明导电薄膜，接着在通孔侧壁以及键合衬底部分表面形成钝化层，接着在通孔内以及钝化层表面形...

本发明揭露了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片在所述P型GaN层中形成了金属纳米阵列，所述金属纳米阵列包括金属芯和电介质外壳，所述金属纳米阵列能和有源层的光发生离子共振，从而提高LED的内量子效率，此外，有源层发出的光可以在金属...