一种倒装LED芯片及其制造方法。其中，所述制作方法包括：在衬底上沉积外延叠层，外延叠层包括第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；刻蚀外延叠层，直至形成底部暴露第一半导体层的沟槽，剩余外延叠层为Mesa平台；在沟槽底部的第一半导体层上沉积...

本发明涉及一种LED芯片，在具有较高的深宽比的沟槽内填充具有高绝缘性能、高韧性、与GaN层具有高粘结性的绝缘有机硅胶，通过降低沟槽的深度以降低后续在绝缘层沉积和金属蒸镀时因为高度差太大而引起的绝缘物和金属断裂的风险，增加LED倒装高压芯...

本发明公开一种高功率环状发光二极管灯具，其包含环状壳体、多个LED光源模块、至少一个LED电源模块以及透光板。环状壳体具有第一容置空间及连接第一容置空间的多个散热鳍片，并且环状壳体围绕出第二容置空间，该第二容置空间安置一附属功能的电子器...

一种用于激光剥离外延层的外延衬底处理方法，在外延衬底进行外延生长外延层之前，采用光滑处理方法对外延衬底的非外延生长面进行光滑处理。本发明一方面解决了衬底的破片率问题，另一方面解决了衬底厚度不均匀的问题，方便了衬底的后续再利用。

本发明涉及一种LED外延结构及其制备方法，在衬底上生长第一类型外延层；在第一类型外延层上生长应力释放层；在应力释放层上生长多量子阱结构层；在多量子阱结构层上生长第二类型外延层。其中，应力释放层包含第一InGaN/GaN超晶格量子阱、n型...

本发明公开一种发光二级管的外延结构，该外延结构生长在衬底上，该外延结构由靠近衬底一端起依次包含：低温成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN层、发光层和P型GaN层；所述N型GaN层为V/III比率周期性交替变化生长结构，V/III比率为...

本发明公开了一种GaN基发光二极管的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长量子阱层；在所述量子阱层上生长P型GaN层；其中，所述N型GaN层或/和所述P型GaN层采用变温生长，所述变温生长中的...

本发明提供一种具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构及制备方法，该结构包括：键合衬底；P焊盘，键合于所述键合衬底；具有倾斜侧壁的倒金字塔型发光外延结构，结合于所述P焊盘上，包括依次层叠的P‑GaN层、量子阱层及N‑GaN层，所述...

本发明提供一种光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，包括如下步骤：提供一光电参数测试不合格的白光LED芯片，所述芯片包括设有电极的第一表面和第二表面，所述第一表面为出光面，所述第二表面为与第一表面相对的另一表面；采用湿法腐蚀或...

本发明提供一种提高晶圆级白光LED芯片亮度的制备方法及其结构，包括如下步骤：提供一已实现白光的LED晶圆，所述LED晶圆包括设有电极的第一表面和第二表面，所述第一表面为出光面，所述第二表面为相对第一表面的另一表面；在所述LED晶圆的电极...

本发明公开一种一体整合式高功率发光二极管(LED)管式灯具，其包含壳体、多个高功率LED光源模块、多个电源模块以及透光板。壳体具有第一容置空间、连接第一容置空间的多个散热鳍片、以及分散排列于第一容置空间中并连接散热鳍片底部的多个导热体结...

本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上生长第一类型外延层；在第一类型外延层上生长量子阱结构层，量子阱结构层包括周期层叠的InGaN势阱层和GaN势垒层，在InGaN势阱层和GaN势垒层中间插入InA...

本发明提供一种提高垂直LED芯片电流扩展的制作方法，包括：首先提供剥离生长衬底后暴露出N型GaN层的LED芯片，在N型GaN层表面形成钝化层；然后刻蚀所述钝化层，暴露出所述N型GaN层表面，形成金属电极开孔和焊垫开孔；最后在所述金属电极...

本发明提供一种GaN基LED垂直芯片结构及制备方法，该结构包括：键合衬底；P焊盘；具有倾斜侧壁的倒金字塔型发光外延结构，包括依次层叠的P‑GaN层、量子阱层及N‑GaN层，所述N‑GaN层表面形成有粗化结构；透明绝缘层，形成于倾斜侧壁表...

本发明提供一种垂直LED芯片制备方法包括：1）提供生长衬底，于生长衬底上形成外延层，2）于外延层上依次形成金属电极层及键合衬底；3）采用低能量激光剥离生长衬底，其中，相邻两小光斑间的重叠率超过50%。本发明还提供一种垂直LED芯片结构包...

本发明提供一种垂直LED 芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供生长衬底，于所述生长衬底上形成外延层；2）于所述外延层上形成金属电极层；3）对所述生长衬底、外延层和金属电极层进行退火处理，以增强金属电极层与外延层之间的粘附性，...

本发明提供一种新型高压LED的制作方法，所述制作方法包括：在生长衬底上进行外延层沉积；形成隔离沟槽；mesa平台刻蚀、形成反射金属层；形成隔离金属层；形成第一绝缘层；形成互联金属层；形成第二绝缘层；形成键合金属层；键合导热衬底；移除蓝宝...

本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法，在制作完GaN发光外延结构之后，首先采用KOH对N-GaN层进行一次粗化，然后采用显影液（低碱性溶液）进行二次粗化，使得一次粗化形成的疏松的小金字塔逐渐变大，且不利于出光的平面区域出现密集的...

本发明提供了一种提高垂直结构LED发光效率的方法。首先，提供一种具有特殊粗化形貌的LED垂直芯片结构，在外延结构层的表面形成微米级孔洞以及位于微米级孔洞底部的亚微米级孔洞，此种出光面结构能增加器件内部光的出射几率，大大提高出光效率。本发...

本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，利用原子层沉积技术在生长衬底上形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层及N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在In...