本发明揭露了一种LED芯片的结构及其制造方法，所述LED芯片的电极包括第一电极群和第二电极群，所述第一电极群的电极分排均匀分布在管芯上，与管芯对应区域接触，第二电极群分布在以第一电极群的电极为中心的正六边形的顶点上，采用这样的结构能获得...

本发明揭露了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片的制造方法在生成电极群之后继续生成电极层和绝缘层等结构，优化了传统的倒装芯片工艺的两个步骤，同时这样的方法对LED芯片的厚度得到有效的控制。并且将传统的设置一对电极分隔为分布在管芯对...

本发明提出一种惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，步骤如下：提供具有串联的LED的衬底；对所述衬底进行切割，得到多个第一LED模块和第二LED模块，其中，所述第一LED模块和第二LED模块的数量比小于等于4∶1，所述第二LED模块的面积...

本发明提供了一种电冰箱，包括多个LED灯条，多个LED灯条设置在电冰箱内上顶面和除门以外的三个侧面位置上；多个紫外线LED灯珠，紫外线LED灯珠设置在LED灯条上；以及多个白光LED灯珠，白光LED灯珠设置在LED灯条上，并且白光LED...

本发明提出一种隔离深沟槽的制造方法，步骤如下：在衬底上形成一掩膜层，通过刻蚀在掩膜层中形成多个相互隔离的窗口，每个窗口底部暴露出衬底；采用选择LED结构外延侧向过生长，在各窗口内及窗口周围的部分掩膜层上分别形成外延结构，每个外延结构具有...

本发明公开了一种图形化衬底的制作方法，所述方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积铟锡氧化物薄膜；使用铟锡氧化物腐蚀液对铟锡氧化物薄膜进行湿法刻蚀，以在衬底表面形成不连续的铟锡氧化物薄膜；将上述不连续的铟锡氧化物薄膜作为掩膜，干法刻蚀衬底，形...

本发明提出一种侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，步骤如下：在一衬底上由下至上依次生长外延层和电流扩散层；利用侧壁具有圆弧形阵列和台面图案的光刻版进行光刻工艺，在所述电流扩散层上形成光刻胶，所述光刻胶具有侧壁微柱透镜阵列和台...

本发明公开了一种发光二极管封装结构及其封装方法，本发明通过在LED芯片表面涂覆胶体，并将一个内壁形成有荧光粉的聚焦透镜置于LED芯片之上并与胶体固化，实现荧光粉的远场激发，通过此种方式，可很好地控制荧光粉的形状与厚度，色度易控，光斑性好...

本发明公开了一种发光二极管，包括：衬底；依次位于衬底上的n型氮化镓层、有源层、p型氮化镓层；深度延伸至n型氮化镓层的第一开口；形成于第一开口内的第一电极；形成于所述p型氮化镓层上的电流扩散层，所述电流扩散层具有暴露出所述p型氮化镓层的第...

本发明提供了一种电冰箱，包括多个LED灯条，多个LED灯条设置在电冰箱内上顶面和除门以外的三个侧面位置上；多个紫外线LED灯珠，紫外线LED灯珠设置在LED灯条上；以及多个白光LED灯珠，白光LED灯珠设置在LED灯条上，并且白光LED...

本发明提出一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型限制层、外延层和P型接触电极层；制作至少一个隔离沟槽，以在衬底上方隔离出的每个所述区域内制作N型接触电极台阶；沉积隔离介质层；通过光刻、蚀刻工艺，...

本发明提出一种高压氮化物LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在衬底上依次形成有N型氮化物成核层和外延层；蚀刻所述外延层形成N型接触电极台阶；依次蚀刻所述N型氮化物成核层，形成LED隔离沟槽，所述LED隔离沟槽暴露出所述衬底的...

本发明提出一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成N型限制层、外延层和反射层；在衬底上制作至少一个隔离沟槽，以在衬底上方隔离出至少两个区域，在每个所述区域内制作多个均匀分布的N型通孔；在N型通孔和隔离...

本发明公开了一种背光模组中多层导光薄膜的制作方法，包括：提供一基体；在基体上形成第一层薄膜，对第一层薄膜进行出光点压印，形成具有导光网点的第一导光薄膜；在具有导光网点的第一导光薄膜上叠置第二层薄膜，根据第一导光薄膜上的导光网点分布结构，...

本发明提出一种高压氮化物LED器件，包括多个发光二极管串联成一路发光二极管，所述一路发光二极管按序连续划分成n组，每组发光二极管与一个放电二极管反向并联，其中n为自然数。由上述技术方案的实施，不仅能获得高压LED器件，提高器件的抗静电性...

本实用新型公开了一种LED芯片结构，所述LED芯片的表面呈正六边形，且其电极结构呈中心发射状，从而提高了LED芯片的出光效率，并且避免了电流集中效应。

本发明公开了一种氮化物LED结构，包括衬底以及在衬底上生长的低温成核层和非掺杂氮化物层，在所述低温成核层上生长三维生长层，在所述三维生长层与所述非掺杂氮化物层之间设置有一AlxIn1-xN材料层，所述AlxIn1-xN材料层具有粗糙表面...

本发明提出一种LED芯片的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上采用金属有机化学气相淀积依次生长氮化物成核层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、多量子阱、P型氮化物层；在P型氮化物层上沉积掩膜层；蚀刻掩膜层以形成周期性图形结...

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层邻近第二缓冲层的表面形成有多个凹槽，位于所述凹槽内的第二缓冲层中形成有空洞；形成于所述第二缓冲层上的第一导电半导体...

本发明公开了一种LED封装结构，该LED封装结构采用LED器件模块结构，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本；且所述LED模块采用垂直电极结构，可直接进行正装封装，提高了LED的整...