一种LED封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED封装结构，该LED封装结构采用LED器件模块结构，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本；且所述LED模块采用垂直电极结构，可直接进行正装封装，提高了LED的整体性能；同时，还公开了一种LED封装结构的制备方法，将具有垂直电极结构的LED模块与LED驱动电路以及ESD保护电路直接固定于板上芯片封装键合盘基板上，从而提高了LED的整体性能，并且由于每个LED模块包括多个LED芯片单元，且所述多个LED芯片单元通过同一衬底连接，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制备
，尤其涉及一种LED封装结构及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结作为发光材料，可以直接将电转换为光。当半导体PN结的两端加上正向电压后， 注入PN结中的少数载流子和多数载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出颜色为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫的光。1998年，流明(Lumileds)公司封装出世界上第一个大功率LED (1W LUXOEN型器件)，从而使LED器件从以前的指示灯应用变成可以替代传统照明的新型固体光源，引发了人类历史上继白炽灯专利技术以来的又一场照明革命。大功率LED由于芯片的功率密度很高， 器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。LED器件热系统的性能很大程度上取决于其封装材料及结构。传统的LED器件采用正装芯片结构，以蓝宝石衬底GaN基LED芯片为例，在正装芯片结构中，其电极位于芯片的出光面，光从最上面的P型GaN层取出。由于P型GaN层的电导率有限，因此需在P型 GaN层表面再沉淀一层用于电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＬＥＤ封装结构，其特征在于，包括：至少一个ＬＥＤ模块，每个ＬＥＤ模块包括至少两个ＬＥＤ芯片单元，所述ＬＥＤ芯片单元之间设置有电隔离沟槽，同一ＬＥＤ模块上的所有ＬＥＤ芯片单元的Ｎ型电极连接在一起，且同一ＬＥＤ模块上的所有ＬＥＤ芯片单元的Ｐ型电极电连接在一起；至少一个ＬＥＤ驱动电路；至少一个ＥＳＤ保护电路；板上芯片封装键合盘基板，其上具有金属互联结构；所述ＬＥＤ模块、所述ＬＥＤ驱动电路以及所述ＥＳＤ保护电路置于所述金属互联结构上，与所述金属互联结构固定连接，通过所述金属互联结构实现串并联电学连接；以及荧光粉，涂敷于所述ＬＥＤ模块上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，张汝京，程蒙召，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31