全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提出了一种全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法。全角度侧壁反射电极的LED芯片的P-GaN和量子阱层的侧壁设有斜坡，在斜坡上形成钝化层，接着在斜坡上形成N电极，N电极同时和N-GaN平面接触。由于N电极与钝化层的组合可以增强电极的反射率，因此LED芯片侧发光的吸收会大大减少，LED芯片的取光效率可以得到提升。此外，此设计的N电极焊盘可以直接形成于P-GaN和钝化层之上，因此可大大减小发光面积的损失，提高了LED芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及LED制造领域，尤其涉及一种全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting D1de,简称LED)是一种半导体发光器件,利用半导体P-N结电致发光原理制成。LED芯片具有能耗低，体积小、寿命长，稳定性好，响应快，发光波长稳定等好的光电性能，目前已经在照明、家电、显示屏、指示灯等领域有广泛的应用。 传统的LED芯片制备工艺已经日渐成熟，并且LED芯片多以正装平行结构为主。其光提取效率受两个重要因素影响:一是金属电极吸光；二是发光面积由于电极平台(Mesa)蚀刻而造成的损失。 具体的,请参考图1,图1为现有技术中正装LED芯片结构示意图,所述结构包括:图形化的蓝宝石衬底10以及依次形成在图形化的蓝宝石衬底10上的N-GaN21、量子阱层22及P-GaN23。通常，正装LED芯片在P_GaN23上形成P电极32，在形成N电极31时会先蚀刻形成Mesa，Mesa暴露出部分N_GaN21，接着在蚀刻出来的N_GaN21上沉积N电极31并实现与N-GaN21的欧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，包括：衬底、外延层、钝化层、P电极和N电极，其中，所述外延层包括依次形成的N‑GaN、量子阱层和P‑GaN，所述N‑GaN形成在所述衬底上，所述P‑GaN和量子阱层的两侧壁设有斜坡，暴露出部分N‑GaN，所述钝化层形成在所述斜坡和P‑GaN的表面，并设有图案暴露出部分P‑GaN，所述N电极形成在所述斜坡处的钝化层及P‑GaN表面的钝化层上，并与所述N‑GaN相连，所述P电极形成在所述钝化层的表面，并与暴露出的P‑GaN相连。

【技术特征摘要】
1.一种全角度侧壁反射电极的LED芯片,其特征在于,包括:衬底、外延层、钝化层、P电极和N电极，其中，所述外延层包括依次形成的N-GaN、量子阱层和P-GaN，所述N-GaN形成在所述衬底上，所述P-GaN和量子阱层的两侧壁设有斜坡，暴露出部分N-GaN，所述钝化层形成在所述斜坡和P-GaN的表面，并设有图案暴露出部分P-GaN，所述N电极形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述N-GaN相连，所述P电极形成在所述钝化层的表面，并与暴露出的P-GaN相连。2.如权利要求1所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，还包括一透明导电薄膜，所述透明导电薄膜形成在所述钝化层和P-GaN之间，图案化的钝化层暴露出所述透明导电薄膜。3.如权利要求2所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，所述P电极包括P焊盘和所述P焊盘相连的P引线，所述P焊盘和P引线均形成在P-GaN表面的钝化层上，并与所述透明导电薄膜相连。4.如权利要求2所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，所述P电极包括P焊盘和所述P焊盘相连的P引线，所述P焊盘形成在P-GaN表面的钝化层上，所述P引线形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述透明导电薄膜相连。5.如权利要求1所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，所述N电极包括N焊盘和所述N焊盘相连的N引线，所述N焊盘形成在P-GaN表面的钝化层上，所述N引线形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述N-GaN相连。6.一种全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤: 提供衬底； 在所述衬底上形成外延层，所述外延层依次包括N-GaN、量子阱层和P-GaN ； 刻蚀所述量子阱层和P-GaN，形成斜坡，所述斜坡暴露出部分N-GaN ； 在所述斜坡处及P-GaN的表面形成钝化层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐慧文，张宇，李起鸣，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31