发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底，包括正面和与正面相对的背面，正面上具有多个凸起；依次形成于凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；形成于第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；形成于衬底背面的第一导电类型电极。所述凸起使得在衬底上的膜层具有较低的缺陷密度和较低的、均匀的应力分布，晶圆不易破裂，形成的发光二极管的内量子效率与外量子效率均得到改善；此外，由于采用衬底作为发光二极管的一个电极垂直结构，充分利用了芯片的有效发光面积并改善了发光二极管的散热性能，发光二极管的发光效率进一步提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光领域，特别是涉及一种。
技术介绍
发光二极管(LED，Light Emitting Diode)由于具有寿命长、耗能低等优点，应用 于各种领域，尤其随着其照明性能指标日益大幅提高，LED在照明领域常用作发光装置。其 中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱 和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件 领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。然而，目前半导体发光二极管存在着发光效率低的问题。对于普通的未经封装的 发光二极管，其出光效率一般只有百分之几，大量的能量聚集在器件内部不能出射，既造成 能量浪费，又影响器件的使用寿命。因此，提高半导体发光二极管的出光效率至关重要。基于上述的应用需求，许多种提高发光二极管出光效率的方法被应用到器件结构 中，例如表面粗糙化法，金属反射镜结构等。在申请号为200510066898. 3的中国专利中公 开了一种全角度反射镜结构GaN基发光二极管及其制作方法。参考图1，所述发光二极管 包括衬底1、生长在衬底1上的全角度反射镜4、以及制作在本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管，包括：衬底，包括正面以及与所述正面相对的背面，所述正面上具有多个凸起；依次形成于所述凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；形成于所述第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；形成于所述衬底背面的第一导电类型电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，张汝京，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31