一种倒装LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种倒装LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，在衬底上沉积外延层，所述外延层包括N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层；刻蚀所述外延层，形成台阶阵列，所述台阶阵列暴露出N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成第一金属层；对所述第一金属层进行退火自组装；以第一金属层为掩膜刻蚀所述P型氮化镓层，在所述P型氮化镓层中形成坑洞阵列；在坑洞阵列中沉积第二金属层，所述第一金属层和第二金属层组成金属反射镜层。这样，使多量子阱有源层发出的光在金属反射镜层上散射，而不被LED各层结构形成的波导结构限制，最终射出，提高LED的光析出率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制造
，尤其涉及一种倒装LED芯片及其制造方法。
技术介绍
在LED制造技术工艺中，传统的正装LED芯片结构，P型GaN掺杂困难导致空穴载流子浓度低下且厚度受到限制，从而导致电流不易扩散。因而通常采用在P型GaN表面制备电流扩散层以使电流均匀扩散。然而电流扩散层也具有缺点，一方面电流扩散层会吸收部分光降低光析出率，如果减薄其厚度又限制电流扩散层在P型GaN层表面实现均匀和可靠的电流扩散的效果，因而，在透光率和电流扩散效果二者之间要给以适当的折衷，然而，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。并且，这种结构的电极和引线在发光区同一侧，工作时会挡住部分光线。因此，这种结构制约了 LED的工作效率。另一方面，这种结构的PN结热量通过蓝宝石衬底导出，蓝宝石的导热系数很低，对大尺寸的功率型芯片来说导热路径太长，因而LED芯片的热阻较大，工作电流也受到限制。为了克服正装LED芯片的这些不足，Lumileds公司于1998年专利技术了倒装LED芯片(Flip chip)结构。倒装LED芯片结构制作方法如下:制备LED芯片；同时制备对应芯片尺寸的散热基板，并在散热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED芯片的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上沉积外延层，所述外延层包括N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层；刻蚀所述外延层，形成台阶阵列，所述台阶阵列暴露出N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成第一金属层；对所述第一金属层进行退火自组装；以第一金属层为掩膜刻蚀所述P型氮化镓层，在所述P型氮化镓层中形成坑洞阵列；在坑洞阵列中沉积第二金属层，所述第一金属层和第二金属层组成金属反射镜层。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片的制造方法，包括: 提供衬底，在衬 底上沉积外延层，所述外延层包括N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层； 刻蚀所述外延层，形成台阶阵列，所述台阶阵列暴露出N型氮化镓层； 在所述P型氮化镓层上形成第一金属层； 对所述第一金属层进行退火自组装； 以第一金属层为掩膜刻蚀所述P型氮化镓层，在所述P型氮化镓层中形成坑洞阵列； 在坑洞阵列中沉积第二金属层，所述第一金属层和第二金属层组成金属反射镜层。2.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于:所述金属反射镜层由多层金属组成。3.如权利要求2所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于:组成所述金属反射镜层的多层金属为 Ni / Ag/Ti / Pt / Au、Ni / Al/Ti / Pt / Au、Ni / Ag / Ni / Au 或Ni / Al/Ti / Au。4.如权利要求3所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于:所述金属反射镜...

【专利技术属性】
技术研发人员：于洪波，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：