【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管晶粒。
技术介绍
现有的发光二极管(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括基板、在基板上生长的N型半导体层、有源层、P型半导体层以及电极，有源层形成于N型半导体和P型半导体之间。发光二极管通电后，来自N型半导体的电子和来自P型半导体的空穴发生复合，产生的能量一部分以光的形式发出，一部分以热的形式发出。然而发光二极管产生的热量如不及时消散，将会对有源层的发光特性产生不利的影响。通常采用的蓝宝石或氮化镓基板的导热率不佳，因此热量会长时间聚集在发光二极管晶粒内部而难于散发出去，不 但使晶粒的发光效率降低，而且进一步影响发光二极管晶粒的电学特性，从而加剧热量的产生和累积，形成恶性循环，最终导致发光二极管的寿命缩短。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种散热效果良好的发光二极管晶粒。一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述基板采用透明氧化铟锡材料，该基板中分布有纳米氢化碳化硅颗粒。本专利技术采用透明氧化铟锡作为基板的材料，并于基板内分布具有良好热传导率的纳米氢化碳化硅颗粒，使发光二极管晶粒内部产生的热量较易于向外散发，提高散热效率。此外，基板还可以作为电极使用，因为基板的主要材质氧化铟锡及其内部的纳米氢化碳化硅颗粒均为透明的且具有良好的导电性，所以该基板不但能够提高发光二极管晶粒的电流分布均匀度，还能够提高出光效率。附图说明图1是本专利技术一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的剖视示意图。主要元件符号说明
【技术保护点】
一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，其特征在于：所述基板采用透明氧化铟锡材料，该基板中分布有纳米氢化碳化硅颗粒。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，其特征在于:所述基板采用透明氧化铟锡材料，该基板中分布有纳米氢化碳化硅颗粒。2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于:所述纳米氢化碳化硅颗粒的粒径为20至200纳米。3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于:所述第二半导体层上还形成有电极，该电极内分布有纳米氢化碳化硅颗粒。4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于:所述第一半导体层内分布有第二纳米...
【专利技术属性】
技术研发人员：张秀萍，
申请(专利权)人：富士迈半导体精密工业上海有限公司，晶鼎能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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