一种LED显示屏及其制作方法技术

本发明专利技术揭露了一种LED显示屏的结构及其制造方法，所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片，所述LED芯片包括：衬底、形成在衬底上的管芯、P电极群和N电极群，所述管芯由隔离沟道划分出像素点单元，所述P电极群分布在每个像素点单元的中央，N电极群分布在每个像素点单元的四个角上。使用本发明专利技术提供的LED显示屏，每个像素之间的间隙可以得到有效的控制，从而提高了LED显示屏的清晰度。并且，每个像素点有隔离沟道分隔开，避免像素点之间工作时相互影响，进一步提高了LED显示屏的清晰度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制造
，尤其涉及一种LED显示屏及其制作方法。
技术介绍
随着LED技术的日益发展，LED器件因其节能、环保和长寿命的优点在各个领域中发挥越来越重要的作用。其中，LED显示屏领域的制造工艺也在越来越成熟，从最初的由LED珠粒列阵组成单基色显示屏到由LED芯片粒矩阵块组成的多彩及全彩的显示屏，LED显示屏已经广泛用于多媒体广告和公共告示显示。由于LED显示屏通常由多个单独封装后LED芯片集成封装而成，由于本身结构以及封装工艺的限制，LED芯片之间不可避免的存在较大的间隙，对显示屏的像素密度和清晰度造成极大的影响，阻碍LED显示屏向高清显示领域的发展。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED显示屏及其制作方法，用以解决传统LED显示屏像素密度和清晰度无法实现较高清晰度的显示问题。为解决以上问题，本专利技术提供一种LED显示屏，包括基板，封装在基板上的像素模块和驱动单元，所述像素模块为单个LED芯片。所述LED芯片包括衬底、形成在衬底上的管芯、P电极群和N电极群，所述管芯由隔离沟道隔离出像素点单元，所述P电极群分布在每个像素点单元的中央，N电极群分布在每个像素点单元的四个角上。可选的，所述管芯包括依次形成于衬底上的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流扩散层。可选的，所述P电极群形成在所述电流扩散层上，所述N电极群形成在所述N型半导体层上。可选的，所述驱动单元为薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于基板和像素模块之间。可选的，所述薄膜晶体管和像素模块之间还形成有P电极层、绝缘层和N电极层，所述绝缘层将P电极层和N电极层隔开，所述P电极层上形成有对应P电极群的P焊接点群，所述N电极层上形成有对应N电极群的N焊接点群，P电极群与P焊接点群通过焊球连接，N电极群与N焊接点群连接。本专利技术还提供了所述的LED显示屏的制造方法，包括提供衬底，在衬底上形成外延层，所述外延层包括依次形成的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和电流扩散层；在外延层中形成若干条纵横交错的隔离沟道，所述隔离沟道划分出像素点单元；在每个像素点单元的四个角上暴露出所述N型半导体层；在每个像素点单元的中央形成P电极，在N型半导体层上形成N电极群；在基板上形成驱动单元；以及对所述像素模块和基板进行封装。可选的，所述像素模块的封装是运用倒装工艺。可选的，所述驱动单元为薄膜晶体管。可选的，在形成所述薄膜晶体管后还包括依次形成有P电极层、绝缘层和N电极层；在对应P电极群的位置暴露出所述P电极层；在所述P电极层上形成对应P电极群的P焊接点群，在所述N电极层上形成对应N电极群的N焊接点群；以及P电极群与P焊接点群通过焊球连接，N电极群与N焊接点群通过焊球连接。 可选的，所述衬底为蓝宝石衬底。本专利技术提供一种LED显示屏及其制作方法，所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片，每个像素之间的间隙可以得到有效的控制，从而提高了 LED显示屏的清晰度。并且，每个像素点有隔离沟道分隔开，避免像素点之间工作时相互影响，进一步提高了 LED显示屏的清晰度。附图说明图I为本专利技术实施例提供的LED显示屏的LED芯片的电极分布示意图；图2为本专利技术实施例的LED显示屏的制造方法的流程图；图3A 3E和图4A 4F图为本专利技术实施例的LED显示屏的制造方法的各步骤在沿AA’剖面上的结构示意图。具体实施例方式在
技术介绍
中已经提及，由于现有LED显示屏的像素模块是由很多个像素点单元集成封装而成，像素点单元之间不可避免的有较大的间隙，对显示屏的像素密度和清晰度造成极大的影响，阻碍LED显示屏向高清显示领域的发展。为此，本专利技术提供一种LED显示屏及其制作方法，所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片，这样，每个像素点之间的间隙可以得到有效的控制，从而提高了 LED显示屏的清晰度。并且，每个像素点有隔离沟道分隔开，避免像素点之间工作时相互影响，进一步提高了 LED显示屏的清晰度。下面将结合附图对本专利技术进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应所述理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图I和图4F，图I为本专利技术实施例提供的LED显示屏的LED芯片的电极分布示意图，图4F为本专利技术实施例的LED显示屏沿AA’剖面上的示意图。所述LED显示屏包括基板413封装在基板上的像素模块和驱动单元416，所述像素模块为单个LED芯片。所述LED芯片包括衬底401、形成在衬底上的管芯415、P电极群402和N电极群403，所述管芯415由隔离沟道414划分出像素点单元，所述P电极群402分布在每个像素点单元的中央，N电极群403分布在每个像素点单元的四个角上。由于LED显示屏的像素模块为单个LED芯片，这样，每个像素之间的间隙可以得到有效的控制，从而提高了 LED显示屏的清晰度。所述P电极群402中的电极构成每个像素点单元的像素点，工作时，通过驱动单元416来控制P电极附近的发光，达到对信息的显示的目的。P电极群402的电极分布在每个像素点单元的中央，N电极群403分布在每个像素点单元的四个角上是为了工作时载流子可以通过P电极群402和N电极群403均匀扩散到待发光的区域，提高器件的发光效率。采用隔离沟道414将每个像素点单元分隔开来，像素点单元之间的工作时是互不影响的，能进一步提闻显不屏的清晰度。所述LED芯片和驱动单元416封装在基板413上，所述驱动单元416为薄膜晶体管(TFT)，位于基板413和LED芯片之间。在所驱动单元416和LED芯片之间还形成有P电极层412、绝缘层411和N电极层410，所述绝缘层411将P电极层412和N电极层410隔开，P电极层412也由绝缘层411隔离开，所述P电极层411上形成有对应P电极群402的·P焊接点群409，所述N电极层410上形成有对应N电极群403的N焊接点群408，P电极群402与P焊接点群409通过焊球连接，N电极群403与N焊接点群408通过焊球连接。在工作时，在薄膜晶体管的驱动下，可实现对每个P电极端电压的控制，来完成每个像素点单元的明暗与否的控制，达到显示信息的目的。本专利技术还提供上述LED显示屏的制造方法，请参考图2，其为本专利技术实施例LED显示屏制作方法的流程图，所述方法包括如下步骤步骤S31，提供衬底，在衬底上形成外延层，所述外延层包括依次形成的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和电流扩散层；步骤S32，在外延层中形成若干条纵横交错本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED显示屏，包括：基板，封装在基板上的像素模块和驱动单元，其特征在于：所述像素模块为单个LED芯片，所述LED芯片包括：衬底、形成在衬底上的管芯、P电极群和N电极群，所述管芯由隔离沟道划分出像素点单元，所述P电极群分布在每个像素点单元的中央，N电极群分布在每个像素点单元的四个角上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毕少强，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：