一种自动地管理半导体制造间的系统，包括：多个处理设备，每个处理一批预定量的半导体晶片并产生实时工艺数据；至少一个制造管理装置，用于产生控制命令，并接收实时工艺数据；设备控制装置，响应于控制命令控制所述工艺设备，并将实时工艺数据传送到制造...

控制在半导体工厂自动化系统中测量半导体晶片的测量设备的方法，包括：在操作者接口服务器和测量设备间，建立从离线通信模式至在线通信模式的通信模式；将容纳半导体晶片的半导体晶片盒装至测量设备；向测量设备发送测量方法和由操作者直接输入的命令；根...

用于重新设定半导体工厂自动化系统中的加工方法的方法，包括：将操作者输入的预先设定的加工方法和一批标识符发送至加工设备；根据加工方法对该批半导体晶片进行加工；对所加工的该批半导体晶片进行测量；将半导体测量数据写入包括加工方法、半导体测量数...

本发明提供一种能够减少漏电流的发生，并具有介电常数高的电介质膜，从而确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶ＴａＯＮ膜。然...

本发明提供一种利用减少漏电流的发生而具有高介电常数的电介质膜，可确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；表面处理的阶段；形成ＴａＯＮ膜的阶段；ＴａＯＮ膜结晶化的阶段；和在ＴａＯＮ膜上形成上部电极的阶段...

一种用于监测用在半导体制造自动系统中的堆料机的操作失效的方法，其中所述堆料机被分为若干操作部分。包括步骤：ａ）响应于从堆料机发出的堆料机状态信号产生代表堆料机的操作状态的堆料机状态信息；ｂ）检查堆料机状态信息以更新原来存储的堆料机的操作...

一种半导体存储器元件的电容器，配有漏泄电流发生少并具有高介电常数的电介质膜，可确保大容量。在配置ＭＯＳ晶体管的半导体衬底上，形成使ＭＯＳ晶体管接合区域的一部分露出的带有接触孔的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成下部电极，以接触露出的接合区域...

本发明提供一种能够减少漏电流的发生、具有介电常数高的电介质膜的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极；在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质的（ＴａＯ）↓［１－ｘ］（ＴｉＯ）Ｎ膜。...

本发明提供一种在电介质膜和上部电极之间具有台阶覆盖好的导电性阻挡层的半导体存储元件的电容器。本发明的特征在于，包括，在半导体衬底上形成下部电极的工序；对所述下部电极的表面进行氮化处理、以便阻止在该表面的自然氧化膜产生的工序；在所述下部电...

一种在半导体工厂中自动地控制半导体制造工艺的装置和方法，该方法包括：ａ）接收批次技术要求数据和批次工艺数据；ｂ）比较二数据，以确定二数据之间的差异是否在预定的范围内；ｃ）如果二数据之间的差异超出或低于预定的范围，那么产生表示发生异常制造...

一种在半导体工厂自动化系统中处理半导体晶片盒的方法，其中半导体晶片盒含有预定数量的半导体晶片，包括以下步骤：ａ）接收操作员输入的工艺进程数据和工艺制法；ｂ）存储工艺进程数据和工艺制法；ｃ）在半导体晶片盒装载到半导体处理装置之前，将半导体...

一种在衬底中制造具有抬高的漏的晶体管的方法以下步骤：在衬底上形成栅结构；邻近所说栅结构一端提供第一掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂剂浓度水平；在第一掺杂区上形成第二掺杂区，第二掺杂区具有第二掺杂剂浓度水平：在第二掺杂区上形成第三掺杂区，第...

一种能够减少漏电流的发生，具有介电常数高的电介质膜，确保大容量的半导体元件的电容器及其制造方法。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质膜的ＴａＯＮ膜。然后，一边...

本发明涉及适用于采用１９３ｎｍ ＡｒＦ辐射线的亚微平版印刷方法中的半导体器件的抗反射涂料用聚合物，抗反射涂料组合物，及其制备方法。所述聚合物含有在１９３ｎｍ波长处具有高吸收的苯基侧基。当本发明的抗反射涂料用于形成超细图案时，消除了在晶...

本发明涉及一种适用于采用１９３ｎｍ ＡｒＦ辐射线的照相平版印刷方法的半导体器件中的有机抗反射涂料用聚合物，及其制备方法。所述聚合物含有在１９３ｎｍ波长处具有高吸收的苯基和酰胺键。当本发明的聚合物用在形成超细图案的抗反射涂料中时，消除了...

一种半导体器件的电容器的制造方法，采用Ｔａ＃－［２］Ｏ＃－［５］薄膜作为电介质膜，提高泄漏电流特性和介电特性。该方法包括以下工序：提供半导体衬底，其上形成有预定的下部图形，覆盖有层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成电容器下部电极；对所述下...

一种半导体器件的电容器的制造方法，使用ＴａＯＮ薄膜作为电介质膜，充分确保高集成度半导体要求的充电容量，具有优秀的电气特性。该方法包括以下工序：在半导体衬底上形成下部电极，所述衬底上形成了用于形成半导体器件的各种结构物；在所述下部电极上形...

一种多级ＥＥＰＲＯＭ单元及其制造方法。ＥＥＰＲＯＭ单元包括：一个浮动栅极，通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离；第一电介质层，形成于浮动栅极的顶部；第一控制栅极，形成在浮动栅极上，并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离；第二电介质层，形成在...

本发明公开了一种读出放大器的列晶体管，其包括：多组四个方形有源区的正交矩阵；互相垂直延伸的位线与本地数据线，各个有源区具有连接到其上的二条位线与一条本地数据线；及，具有弯折部分的栅极，从而增大该晶体管的宽度，其继而减少列晶体管的接触点的...

一种用于存储单元的半导体器件，包括：有源矩阵，由晶体管和在晶体管四周形成的第一绝缘膜提供；电容器结构，形成在第一绝缘膜上，由底电极，位于底电极上的电容器薄膜和形成在电容器薄膜上的上电极构成；第二绝缘层，形成在晶体管和电容器结构上；金属互...