一种半导体技术，尤其是一种半导体元件的微细图形间隙的形成方法，它包括：在半导体基片上的预定蚀刻对象层上部形成光致抗蚀剂图形的步骤；集中在所述光致抗蚀剂图形侧壁部分，蒸镀非挥发性聚合物的步骤；以所述光致抗蚀剂图形和所述非挥发性聚合物为蚀刻...

本发明涉及一种使用含共聚物的光致抗蚀剂的半导体装置及其制备方法。因合成的具有一亲水性基的降冰片烯衍生物（单体）且引至聚合物的主链中，根据本发明的聚合物具有优良的抗蚀性和抗热（这些特征为脂环烯结构的特点），以及由于引入一亲水性基（－ＯＨ）...

本发明涉及一种作为使用于超短波长光源如氟化氪或氟化氩的光阻剂的共聚物树脂及其制备方法和用其制成的光阻剂。经由引入２，３－二－叔丁基－５－降冰片烯－２，３－二羧酸酯单元至降冰片烯－顺丁烯二酸酐共聚物的结构中，根据本发明的共聚物树脂可经由传...

一种本发明的ＣＭＯＳ图像传感器，具有在１．２—４．５Ｖ的偏压下完全耗尽的低压光电二极管。该光电二极管包括：Ｐ－ｅｐｉ层；将Ｐ－ｅｐｉ层分成场区和有源区的场氧化层；形成在Ｐ－ｅｐｉ层的Ｎ＃＋［－］区，其中第一杂质区与隔离层分隔开；以及形成...

本发明涉及一种光阻剂组合物，其是由制备一新石胆酸基丙烯酸酯型式的单体及将此新单体引入用作光阻剂的聚合物中而制成，其可用于使用ＫｒＦ（２４８ｎｍ）或ＡｒＦ（１９３ｎｍ）光源的光刻程序。

一种芯片尺寸封装及其制造方法。在半导体芯片１０的上面形成凹部１１，在凹部１１的底面中央及两侧形成焊盘２０和绝缘盘３０。各盘２０、３０由金属丝４０连接，将密封剂５０埋入凹部１１内。此时，使金属丝４０的中间部自密封剂５０露出，在该露出的金属...

本发明涉及用于制备抗光蚀剂聚合物的新的单体，抗光蚀剂聚合物及其抗光蚀剂组合物。本发明的单体由上列化学式１所表示。

本发明提供了一种在栅极的再氧化工序中防止栅极异常氧化，同时，可以减小栅极电阻的多晶硅－硅化物结构的栅极形成方法。包括依次形成栅极氧化膜、多晶硅膜和硅化钛膜；在硅化钛膜上，按照栅极的形状，形成屏蔽绝缘膜。接着，对屏蔽绝缘膜的屏蔽层进行腐蚀...

本发明公开一种使电容器电极工作稳定并改善半导体器件的工作特性和可靠性的制造半导体器件电容器的方法。该方法包括以下各步骤：制备一块半导体基片；在该基片上形成绝缘层；通过选择去除下绝缘层形成接触孔；在接收孔内形成柱塞；在其上形成Ｔｉ／ＴｉＮ...

制造冠式电容器方法包括：在单元区域和周边区域中的绝缘层上形成位线；形成第三氧化物层填充单元区位线间间隙；在形成第三氧化物层结构上形成蚀刻阻断层和第一氧化物层；各向异性蚀刻第一氧化物层、蚀刻阻断层和第三氧化物层形成通路孔以露出单元区绝缘层...

本发明提供结构简单并且可以强化抵抗异物侵入的能力和机械强度的半导体封装及其制造方法。本发明包括：以焊盘朝向上部方式配置的半导体芯片；蒸镀在所述半导体芯片的焊盘、两侧壁和下表面的一部分上的金属线；以形成使所述半导体芯片的下表面上蒸镀的金属...

耐熔熔丝电路包括三个子模块：具有控制信号和地址输入的多路转移器；由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器；以及用于编程／读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝，由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发...

本发明提供具有通式Ⅰ、Ⅱ的一种聚合物。该聚合物含有在亚微平版印刷方法所用的波长处具有强吸收的发色团，可用作采用２４８ｎｍ、ＫｒＦ、１９３ｎｍ　　ＡｒＦ或１５７ｎｍＦ＃－［２］激光的亚微平版印刷方法中的抗反射涂料（ＡＲＣ）。ＡＲＣ解决了光...

本发明涉及半导体器件中的铜布线。另外，本发明说明了在半导体器件中形成铜布线的方法，由于通过设定铜淀积设备的最佳淀积工艺条件，并建立用１，１，１，５，５，５－六氟－２，４－戊二酮－３－基铜。.乙烯三甲氧基硅烷（Ⅰ）化合物作铜前体的ＭＯＣＶ...

本发明提供具有下列通式Ⅰ、Ⅱ或Ⅲ的一种聚合物。该聚合物含有在亚微平版印刷方法所用的波长处具有强吸收的发色团，可用作采用２４８ｎｍＫｒＦ、１９３ｎｍ、ＡｒＦ或１５７ｎｍＦ＃－［２］激光的亚微平版印刷方法中的抗反射涂料（ＡＲＣ）。ＡＲＣ解决...

在半导体工厂自动化（ＦＡ）系统中控制自动导向小车（ＡＧＶ）的方法，包括：接收并存储改变的工艺设备工作模式信息；在全自动化工作模式下，执行预定半导体工艺处理并发送工艺过程完成信号；产生队列；根据队列检查存储的工艺设备的工作模式信息；如存储...

在半导体工厂自动化系统中处理一批半导体晶片的方法，包括以下步骤：ａ）确定可在第一操作方式下工作的第一处理设备是否有对应于一批半导体晶片的作业文件，其中作业文件表示半导体工艺需要的数据；ｂ）如果可在第一操作方式下工作的第一处理设备有作业文...

一种在半导体工厂自动化（ＦＡ）系统中监视至少一个服务器的方法，包括以下步骤：ａ）将服务器状态信息由至少一个服务器提供到实时数据库，其中服务器状态信息包括中央处理单元的可用性、磁盘的可用性以及与处理器相关的程序处理的状态；ｂ）在实时数据库...

本发明公开了具有化学式１或２的聚合物。该聚合物可用作采用２４８ｎｍｋｒＦ、１９３ｎｍ　　ＡｒＦ或１５７ｎｍＦ＜ｓｕｂ＞２＜／ｓｕｂ＞激光的亚微平版印刷方法中的抗反射涂料。该聚合物含有在亚微平版印刷方法所用的波长处具有足够强的吸收的发色团...

半导体工厂自动化系统及传送半导体晶片的方法，该方法包括：在工艺设备中处理容纳在半导体晶片盒中的一批半导体晶片；当工艺设备处理完这批晶片时，将盒传送请求由工艺设备发送到单元管理服务器；响应于盒传送请求产生传送指令；以及如果晶片盒通过ＡＧＶ...