一种适以将区分为二个独立电路方块之晶片安装于其上之片上型导线架，该二个独立电路方块各自具有对于晶片中央部位而横向对称地设置之焊垫。该片上型导线架具有复数个伸长的共同导线，每一共同导线系配合各自设置于电路方块而具有相同功能的每一焊垫对之线...

一种具有－ＥＳＤ电路的半导体装置，包含一定义在该半导体基板上的主动区域，该主动区域具有多个均匀地间隔而从其上端及下端延伸而出的突出部，多个定义在该半导体基板上且在该主动区域的每个突出部中的接点区域，以及多个均匀地间隔而形成于该半导体基板...

一种快闪存储器的浮置栅极的制造方法，其可以保持浮栅的预定宽度，避免存储能力损失。该方法包括步骤：在半导体基底上形成场氧化物层；形成栅氧化物层和导电层；在导电层上依次形成第一氧化物层和氮化硅层；形成一光阻材料图形；选择性蚀刻上述氮化硅层、...

本发明提供一种用于形成包含一个沟槽隔离区的半导体器件的隔离区的方法。在处于一个半导体器件内的一个沟槽的一个表面生长一个氧化硅膜，然后沉积一个氮化硅膜材料。在宽型沟槽区的氧化硅膜上形成一个氧化物膜。刻蚀沟槽区的氮化物膜，以形成一个器件隔离...

一种用于形成一半导体装置之金属接线的方法，包括的步骤为：提供一半导体基片：形成一层间隔离用膜设置以一接触孔在该半导体基片上；形成一第一钛膜 该层间隔离用膜之形成后所得到的最终结果上方；形成一多重层在该第一钛膜上方，此多重层为由一第一钛...

本发明公开了向形成第２Ｐ沟的衬底施加负电压时，第１Ｐ沟与第２Ｐ沟间的阈值电压差最小化的同时，也能使工序最简化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：元件分离用绝缘膜；半导体衬底；Ｎ型埋入层；Ｐ型第１沟区域；Ｐ型第２沟区域；Ｎ型第１沟...

一种半导体器件的金属接触结构包括：第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；连接至第一导电层的第一接触孔，其形成于第一绝缘层内；形成于第一接触孔内的虚设导电图形，其中，虚设导电图形通过第一接触孔与第一导电层接触，且虚设导电图形覆盖第一绝缘层...

一种用于形成具所需密度与所需形状之半球形硅晶粒层以增大一电容器之储存电极之面积的方法。该方法包括于一供形成半球形硅晶粒之底硅层上形成一薄氧化物膜，以使该等半球形硅晶粒可于指定状况下形成为具有所需之密度与所需之形状，不管底硅层是否掺有杂质...

本发明为防止热载流子效应和结漏电，提出一种具有双重结结构的半导体器件，包括：在半导体基片上形成的栅绝缘膜；在该膜上形成的栅电极；由形成于上述半导体基片上的第１导电类型的第１杂质注入区和形成于该区下部其浓度较低的第２导电类型的第２杂质注入...

本发明涉及一种在ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）衬底上的互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）晶体管这样的具有两个相邻阱的半导体器件，特别是，涉及为了消除闩锁（Ｌａｔｃｈ－ｕｐ）问题而具有完全绝缘的多个阱的半导体器件及其...

一种用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法被揭示。第一中间层绝缘薄膜被沉积在一具有高的阶梯元件区域与低的阶梯周边区域之半导体装置的整个上表面之上，接着做热处理。较该第一中间层绝缘薄膜更能抵抗蚀刻的第二中间层绝缘薄膜被沉积。再者，第三中...

本发明公开一种具有低阈值电压、能够防止由于活性区域杂质缺乏而导致泄漏电流的ＭＯＳ半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：所定的导电型的半导体衬底；在衬底上形成的场绝缘膜；通过场绝缘膜在上述衬底内设定的活性区域；包围场绝缘膜的在衬底内...

本发明的目的是防止由于过腐蚀构成接触孔内表面的绝缘层所致的保护环区的光刻胶膜剥落，所述过腐蚀发生于利用其中形成有保护环图形的接触掩模形成接触孔的工艺期间。腐蚀工艺期间，通过在任何一个保护环小孔图形侧边不形成保护环小孔图形，在任何一个保护...

一种高电阻负载型ＳＲＡＭ单元，包括：含有第一导电层和第二导电层的底层，在底层上具有接触孔的第一绝缘膜，形成在第一导电层上并通过接触孔与驱动晶体管连接的第三导电层，在第三导电层和第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，及在第二绝缘膜上形成电源线和高...

一种保护芯片内部以防止ＥＳＤ（静电放电）及浪涌脉冲损伤的与另外保护电路无关而在完成封装或制造芯片的过程中实现的半导体元件，其构成如下：引线框架各自的输出入插脚利用在特定电压具有导电体性质的非电阻特性物质连接，或者将供应电源线、接地电源线...

本发明公开了一种制造闪速存储器件的方法。在本发明中，由于在存储单元区内形成的介质膜仅暴露给清洗溶剂，而该清洗溶剂是用于在除去低压晶体管区内形成介质膜后所实施的清洗工艺中，介质膜受到损伤的数量可减小到最小，因此，可以得到良好的介质膜。

本发明公开了一种形成层间绝缘膜的方法，能够防止部分层间绝缘膜暴露，从而可以防止绝缘层的弯曲和绝缘层中所含水汽散发。本发明的方法包括以下步骤：在分成单元区和外围电路区的底层上形成多个下层金属图形；在底层上形成第一绝缘膜和第二绝缘膜；去除第...

本发明公开了一种形成半导体器件中芯柱的方法。使用性质彼此不同的金属，以使金属在接触孔中沿固定方向生长，由此防止由因为金属在接触孔内生长方向导致的密度不同而造成的过腐蚀。利用形成芯柱的全表面腐蚀工艺，可以使在接触孔顶上产生的差锐度最小，从...

根据本发明在半导体器件中形成光刻胶膜的方法包括以下步骤：第一步在晶片上涂光刻胶，第二步将高压氮气分散在晶片上用于消除光刻胶膜上形成的微波纹、针孔和脱皮部分，第三步用分散开的高温干燥的氮气除去含在光刻胶膜内的溶剂并烘干光刻胶膜。

按本发明，在将杂质离子注入衬底之前，通过用其直径和质量皆小于杂质离子注入工艺所用元素的元素进行离子注入，在衬底表面上形成细小龟裂，另外，热处理期间，在杂质离子向外扩散之前，形成于衬底表面上的细小龟裂就已愈合，因而防止了杂质离子向外扩散。