半导体装置之金属布线的制造方法被提供而且包括步骤：沉积一层障碍物金属层于绝缘薄膜之上，而且经过ＳＦ↓［６］等离子体处理；依序形成一层铝金属层、一层防止反射层以及光致抗蚀剂薄膜图案于该障碍物金属层的表面之上，以该图案当作蚀刻掩模蚀刻该防止...

本发明提供一种ＳＯＩ基片的制造方法，可使ＳＯＩ基片具有平坦的表面，并能同时形成元件分隔膜和埋置绝缘层。该方法包括下列步骤：在硅晶片的元件分隔区形成损耗膜，以露出所述硅晶片的有源区；向所述硅晶片内注入氧离子，形成硅晶片内的离子注入区；对硅...

本发明揭示一种形成半导体装置之场氧化物的方法，其在场氧化作用的早期阶段利用湿式氧化作用以防止场氧化物的不生长和在场氧化作用的后期阶段利用干式氧化作用而使得场氧化物的倾斜为止，借此改良生产效率和半导体装置的可靠性。

一种半导体存储器件，包括：元件分离膜，配置于一假想基准线上；第一接合区，配置于该假想基准线的上部，并被该元件分离膜所包围；柱状的沟道区，与该第一接合区相连接；第二接合区，设于该柱状的沟道区的上部；栅极绝缘膜与字元线，包围在该柱状的沟道区...

一种半导体器件，包括：一个具有一绝缘层的半导体基底；一个形成于绝缘层中的接触孔；一个填埋所述接触孔的第一钨层，其具有掺杂物以减小其电阻率；一个覆盖所述第一钨层的第二钨层，其具有掺杂物以减小其电阻率。本发明还涉及这种半导体器件的制造方法。...

一种形成半导体装置金属布线的方法，该方法包含蚀刻参数的控制，以便于形成钨布线时，获得光致抗蚀剂膜对钨的高蚀刻选择性。根据此方法，借助于电源功率增加、偏压功率的减少、和蚀刻气体中元素含量比例的调整，来达成改善蚀刻选择性。为了解决因增加光致...

一种半导体元件的制造方法，通过减弱源极区的电场而减少接合泄漏，从而改善ＤＲＡＭ单元的刷新特性。在形成于第一导电型的Ｐ型衬底上的Ｐ型空穴与第二导电型的Ｎ型源极区的接合边界面上，形成第一导电型或第二导电型的杂质区，通过向源极区注入填充离子来...

本发明公开了一种形成保护膜的方法，该保护膜可减小金属布线间的寄生电容并改善它的薄弱部分，该方法包括以下步骤：形成衬底的金属布线，在包括金属布线在内的衬度上淀积氧化硅膜，在氧化硅膜上形成ＳＯＧ膜，硬化ＳＯＧ膜，然后在ＳＯＧ膜上形成氮化硅膜...

揭示一种用于模拟光刻工艺的模拟方法，并且该方法能预估抗蚀剂图形的大小，是借助于决定投射影像中的简化模型来代表抗蚀工艺，而不模拟包括抗蚀工艺的完整工艺过程，来获得扩散投射影像模型（ＤＡＩＭ），然后再把ＤＡＩＭ应用到临界模型。

一种半导体插件，包括：上部具有多个焊接点的半导体基片；插件基板，中央具有开口区，所述开口区的面积随着向下而变窄的阶梯式，所述插件基板包括开口区的底面、在所述底面的上部形成的阶梯面、以及外部导线；连接构件，设置在所述插件基板的阶梯面上，并...

一种采用单层陶瓷基板的芯片大小组件半导体，包括：在其中央部形成引线焊盘的芯片；在中央部形成规定尺寸的四角形的长方形孔的规定尺寸陶瓷板材料的上表面上设置芯片的基板；用于把芯片安装到基板上表面上的附着构件；分别安装于信号电路的球点电极安装部...

一种包括至少二种脂族环烯烃和胺的新颖光致抗蚀剂共聚物，其可用于利用ＡｒＦ作为光源的光刻术中。从该共聚物制备的光致抗蚀剂可以高分辨率地构图。

一种用于筛选测试集成电路芯片的电路板和使用该电路板制造已知合格管芯的方法。该电路板包括：设有多个垂直贯通孔的本体；在该本体的一侧表面上形成的多根金属线；多个插脚，分别插入所述孔中而与该金属线电连接。并且，已知合格管芯的制造方法包括，在把...

一种散热能力强、重量轻、厚度薄、制造成本低的封装集成电路元件及其制造方法。本发明的封装集成电路元件包括：配线衬底，一个以上的金属导热体层，贯通孔区，集成电路芯片，多根焊接金属导线，以及密封剂。本发明方法是在通过所述真空孔的真空吸力作用将...

一种封装的集成电路装置，包括具有其上形成有信号图形和电接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底，该衬底具有至少一个贯通狭缝。在衬底的第二表面上，固定集成电路芯片，该芯片具有其上形成有有源区和键合焊盘的第一表面和与第一表面相对并暴于...

本发明关于一种形成半导体器件的电容器的方法，其特别处理了下部的电荷储存电极的表面，以便改善在使用具有特定介电常数作为介质膜的Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］膜电容器中，以ＰＥＣＶＤ方法沉积Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］膜的不佳的梯级覆盖，并根据使用梯级覆...

一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法，与该半导体器件。在半导体基板上建构衬垫绝缘体。当给予衬垫绝缘体图形的同时，进行过蚀刻工艺，以使半导体基板凹陷至预定的深度。在衬垫绝缘体图形的侧壁形成绝缘体间隔物之后，热氧化半导体基板的暴露区，以长出...

一种封装的集成电路器件，可将封装翘曲降低到最小程度，并抑制空隙的形成。包括：一集成电路芯片，在芯片彼此相对的两侧有以槽的形式出现的焊盘，而且焊盘槽垂直地贯穿芯片；多个内引线结构，每个内引线结构包括板形的内引线和挡块，各内引线垂直地插在对...

一种改进的球栅极阵列插件ＢＧＡ，可防止焊锡球之间的冲击且提高集成度，包括：衬底，具有第一表面和比第一表面高的第二表面；至少一个半导体芯片，被叠放着配置在第一表面上，在其上部表面设有多个衬垫；多根引线，设在衬底上，其一端与半导体芯片的一部...

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及，一种借由使用在保险丝盒上所形成的绝缘薄膜上的蚀刻停止薄膜，所以绝缘薄膜可以恒定厚度留在保险丝盒上的方法。蚀刻停止层在半导体装置进行最后一道工艺过程时被除去。结果，半导体装置的制造方法可提高...