半导体器件的金属接触结构及其形成方法技术

一种半导体器件的金属接触结构包括：第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；连接至第一导电层的第一接触孔，其形成于第一绝缘层内；形成于第一接触孔内的虚设导电图形，其中，虚设导电图形通过第一接触孔与第一导电层接触，且虚设导电图形覆盖第一绝缘层的一部分；布置在第一绝缘层上的第二绝缘层；第二接触孔，形成于第二绝缘层内，且第一接触孔和第二接触基本上形成一个贯通孔；和布置于第二绝缘层上的第二导电层，其通过第二接触孔与虚设导电图形接触。本发明专利技术还该结构的制造方法。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的金属接触结构，特别涉及一种具有用作半导体器件的金属接触的缓冲多晶硅层的改进的接触结构，及其制造方法。在半导体集成电路的制造技术中，要沉积一薄金属覆层并构图，以形成各个器件间的互连。在硅技术的早期年代采用在接触孔沉积金属膜的接触结构。随着电路密度的增加，接触孔的面积不断减小，而处于沉积金属层和导电层之间的层间绝缘膜的厚度并没有按某一参数比例变化。相对于接触孔面积的减小接触孔的深度没有成比例减小。因此在靠近垂直台阶处或侧壁处产生了台阶覆盖问题。在这些台阶或侧壁处的薄金属层导致较高的电阻和电子迁移失败的倾向。在现有技术中，为了改进导线金属膜的台阶覆盖情况，曾通过一种湿/干蚀刻工艺来减小接触通孔的侧壁的斜度。其中披露了一种制造由一个大开口面积通孔和一个小开口面积通孔组成的金属互连接触孔的方法。在上述现有技术中，蚀刻工艺包括两个步骤各向同性湿蚀刻第一层间绝缘膜，以形成一个具有大开口面积的通孔，和各向异性干蚀刻，以形成一个具有小开口面积的通孔。在硅集成电路中，铝(Al)被广泛用作相互连接的金属层。然而，Al-Si接触具有一些较差的接触特性。由于在处于450～5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的金属接触结构，包括：一个第一导电层；一个布置在上述第一导电层上的第一绝缘层；一个连接至上述第一导电层的第一接触孔；其中上述第一接触孔形成于上述第一绝缘层内；形成于上述第一接触孔内的虚设导电图形，其中，上述虚设 导电图形通过上述第一接触孔与上述第一导电层接触，且上述虚设导电图形覆盖上述第一绝缘层的一部分；一个布置在上述第一绝缘层上的第二绝缘层；一个第二接触孔，其中，该第二接触孔形成于上述第二绝缘层内，且第一接触孔和第二接触基本上形成一个贯通 孔；和一个布置于上述第二绝缘层上的第二导电层，其通过上述第二接触孔与上述虚设导电图形接触。

【技术特征摘要】
KR 1996-6-29 26552/961.一种半导体器件的金属接触结构，包括一个第一导电层；一个布置在上述第一导电层上的第一绝缘层；一个连接至上述第一导电层的第一接触孔；其中上述第一接触孔形成于上述第一绝缘层内；形成于上述第一接触孔内的虚设导电图形，其中，上述虚设导电图形通过上述第一接触孔与上述第一导电层接触，且上述虚设导电图形覆盖上述第一绝缘层的一部分；一个布置在上述第一绝缘层上的第二绝缘层；一个第二接触孔，其中，该第二接触孔形成于上述第二绝缘层内，且第一接触孔和第二接触基本上形成一个贯通孔；和一个布置于上述第二绝缘层上的第二导电层，其通过上述第二接触孔与上述虚设导电图形接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件的金属接触结构，其中，所述第一导电层为半导体基片上的掺杂扩散层或掺杂多晶硅膜。3.根据权利要求1所述的半导体器件的金属接触结构，其中，上述金属接触结构用于集成电路中心单元区的字线的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩相竣，权元泽，金政会，
申请(专利权)人：现代电子产业株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]