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一种半导体器件的金属接触结构包括：第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；连接至第一导电层的第一接触孔，其形成于第一绝缘层内；形成于第一接触孔内的虚设导电图形，其中，虚设导电图形通过第一接触孔与第一导电层接触，且虚设导电图形覆盖第一绝缘层的一...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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