光电元件的制造方法技术

一种制造光电元件的方法，所述方法包括步骤：提供光电元件，该光电元件包括：下电极层，下电极层包括由Ａ１或铝化合物构成的金属层和透明导电层；光电转换半导体层；和透明电极层，它们以所述次序层叠在基片的导电表面上；把所述光电元件浸入在电解溶液中，以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷，其中所述电解溶液具有０．０３ｍｏｌ／ｌ或更少的氯离子含量。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造高可靠光电元件的方法。本专利技术特别涉及通过把具有短路电流通路缺陷的光电元件用专门电解溶液进行电解处理以钝化在所述光电元件中存在的所述短路电流通路缺陷来制造具有优良特性的高可靠光电元件的方法。近来，为研制可使用的大面积光电元件已进行各种研究，例如，用作发电的太阳能电池。特别是为了研制具有包括半导体材料的多层结构的大面积光电元件已做各种研究，该半导体材料由例如非晶硅(a-Si)材料的非晶材料组成。为生产这种大面积光电元件，象所谓卷到卷(roll-to-roll)成膜方法这样的连续成膜方法已引起普遍注意。然而，难以有效而稳定地制造在整个区域内无例如短路缺陷这样的缺陷的多层结构大面积光电元件。例如，在在具有层叠的半导体结构的大面积薄膜光电元件中，层叠的半导体结构由例如层叠的a-Si这样的非晶材料形成的多层薄半导体膜构成的情况下，已知在形成层叠半导体结构时，由于象灰尘或类似物这样的异物掺杂在形成的膜中，如针孔这样的缺陷而出现，这些缺陷必然带有分流或短路缺陷，这导致光电元件在所需特性方面，特别是在电压产生特性(关于电压元件)方面明显低劣。这里，将描述此缺陷出现原因。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光电元件的方法，所述方法包括步骤： 提供光电元件，该光电元件包括：（ａ）下电极层，该下电极层包括：（ａ－ｉ）铝或铝化合物构成的金属层，和（ａ－ｉｉ）透明导电层；（ｂ）光电转换半导体层；及（ｃ）透明电极层，它们以所述次序层叠在基片上，以及 把所述光电元件浸入在电解溶液中，以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷，其中所述电解溶液具有０．０３ｍｏｌ／ｌ或更少的氯离子含量。

【技术特征摘要】
JP 1996-5-17 1465421.一种制造光电元件的方法，所述方法包括步骤提供光电元件，该光电元件包括(a)下电极层，该下电极层包括(a-i)铝或铝化合物构成的金属层，和(a-ii)透明导电层；(b)光电转换半导体层；及(c)透明电极层，它们以所述次序层叠在基片上，以及把所述光电元件浸入在电解溶液中，以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷，其中所述电解溶液具有0.03mol/l或更少的氯离子含量。2.根据权利要求1的方法，其中电解溶液含有能够防止在金属层(a-i)和基片或透明导电层(a-ii)之间的界面处发生层剥离的保护离子。3.根据权利要求2的方法，其中保护离子是基于从硫酸盐、硝酸盐、铬酸盐、醋酸盐、苯甲酸盐和草酸盐构成的组中选择的至少一种化合物的离子。4.根据权利要求1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：一诺濑博文，长谷部明男，村上勉，新仓谕，上野雪绘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]