射频功率晶体管的镇流监控制造技术

一般说来，本发明专利技术提供了一种器件和方法，由此注经ＲＦ功率晶体管的电流不需采用任何外部元件而得到监控。更具体地，根据本发明专利技术的一个实施方案，ＲＦ功率晶体管包括硅片、一对形成在硅片上的交指电极，每个电极具有许多平行电极指和至少一个焊盘。第一类型扩散区形成在这对交指电阻中一个电极的电极指下面，第二类型扩散区形成在这对交指电极中另一个电极的电极指下面。一个电极有多个电极指和多个形成在硅片上的电阻，至少有一个电阻和每个电极指串联连接。另一个电极形成时具有至少个电极指并连接到另一个焊盘，而且至少有一个电阻形成在硅片上，并和这另一个电极串联连接。根据本发明专利技术的另一个实施方案，提供了一种方法在ＲＦ晶体管电路中监测和控制集成ＲＦ晶体管中的电流。集成ＲＦ晶体管具有多个发射极镇流电阻和一个电路，包括监控电流的焊盘。ＲＦ晶体管电路包括连接到焊盘的偏压控制和反馈电路。流经至少一个发射极镇流电阻的电流被导向监控电流的电路。通过采用偏压控制和反馈电路，流经集成ＲＦ晶体管的电流受到影响。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及功率晶体管，更具体地涉及硅双极型射频(RF)功率晶体管。这种晶体管通常用于无线电基站放大器的放大级，但也广泛用于其他有关射频的应用中。2.技术水平用于高频功率放大的晶体管器件需要在特定的电源电压和工作频率下，对输出功率、增益、耐久性、效率、稳定性、带宽等满足许多细致的要求。现代电讯电子学的工作频率范围从几百兆赫率一直到微波区。输出功率要求从几瓦到几百瓦，并在一个封装中使用许多并联的器件。功率晶体管工作在大信号状态和高电流密度下。近来可用的计算机工具通常不足以预测现实应用中的详细行为或性能。最常用于功率晶体管(频率至少在3GHz以下)的半导体材料是硅。另外由于电子的迁移率比空穴更高，实际上所有微波双极型晶体管都是NPN型。在n+晶片上外延的n型用作起始材料以减小集电极串联电阻。绝缘层形成在半导体表面，基极和发射极层通过扩散和/或离子注入形成。不同的掺杂侧面产生不同的频率特性和击穿电压特性，而不同的平面几何形状产生具有不同电流容量的晶体管。交指型、覆盖式(overlay)和网状(mesh)结构被用来减小功率晶体管有源区的面积和减小寄生现象，并操作和分布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＲＦ功率晶体管，包括：硅片；一对形成在硅片上的交指电极，每个电极具有许多平行电极指，以及每个包含至少一个焊盘；形成在交指电极对一个电极的电极指下面的第一类型扩散区，和形成在交指电极对另一个电极的电极指下面的第二类型扩散区； 形成在硅片上的许多电阻，至少有一个电阻串联连接到上述一个电极的每个电极指上；含有至少一个电极指并连接到另一个焊盘上的另一个电极；１）第一类型扩散区和２）第二类型扩散区之一的一个区，形成在所述另一个电极下面；以及形成在硅片上并串 联连接到所述另一个电极的至少另外一个电阻；其中所述第一类型扩散区，所述第二类型扩散区以及形成...

【技术特征摘要】
US 1994-11-3 08/335,4131.一种RF功率晶体管，包括硅片；一对形成在硅片上的交指电极，每个电极具有许多平行电极指，以及每个包含至少一个焊盘；形成在交指电极对一个电极的电极指下面的第一类型扩散区，和形成在交指电极对另一个电极的电极指下面的第二类型扩散区；形成在硅片上的许多电阻，至少有一个电阻串联连接到上述一个电极的每个电极指上；含有至少一个电极指并连接到另一个焊盘上的另一个电极；1)第一类型扩散区和2)第二类型扩散区之一的一个区，形成在所述另一个电极下面；以及形成在硅片上并串联连接到所述另一个电极的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：T约翰森，L莱顿，
申请(专利权)人：艾利森电话股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]