本发明公开了一种具有自收敛底电极的相变化存储单元阵列及其制造方法，有关于一种相变化存储单元阵列，其是通过形成一分离层于一接点阵列之上、形成一图案化层于分离层之上、以及通过光刻工艺形成一掩膜开口阵列于图案化层之中而完成。刻蚀掩膜是形成于掩...

本发明是有关于一种存储单元阵列的制造方法与存储装置，其是基于蘑菇状相变化存储单元阵列，其是由形成一分离层于一接点阵列之上、形成一隔离层于分离层之上、以及由蚀刻工艺形成一存储元件开口阵列于隔离层之中而完成。蚀刻掩膜是形成于存储元件开口中，...

本发明揭露于半间距为３０纳米节点以下的先进光刻工艺，电荷捕捉与非门非挥发存储器具有放置足够地接近的邻近存储单元，其邻近的通过栅极产生的边缘电场对临界电压干扰。举例而言，电荷储存结构的等效氧化层厚度其至少为该电荷储存结构一完整间距的三分之...

本发明公开了一种具有双重字线和源极线的相变化存储器及其操作方法。本发明有关于一种相变化存储元件，其包含一存储单元、一第一字线导体及一第二字线导体，和第一及第二存取元件，以分别响应至该第一及第二字线导体。控制电路安排在读取操作时仅使用第一...

一种三维储存器（３Ｄ？ｍｅｍｏｒｙ）由多层储存器构成。各层储存器包括ｍ条字线、ｎ条位线以及多数起始开关层。其中ｍ，ｎ为自然数。起始开关层由硫族化合物材料构成。在字线ｉ、字线ｉ＋１以及位线ｊ、位线ｊ＋１所围的区域中有两个起始开关层Ｃｉ，ｊ...

本发明公开了一种多级单元编程方法及集成电路装置。该多级单元编程方法，包括重复地改变施加至一第一多级单元的偏压以编程第一多级单元至一第一临界状态并侦测第一多级单元何时到达一预定阈值电压。在到达预定阈值电压时记录施加至第一多级单元的偏压。一...

本发明公开了一种静电放电保护电路的晶体管布局，包括：第一导电型衬底、第二导电型环状阱区、二第一导电型掺杂区与至少一第二导电型金属氧化物半导体晶体管。其中，第二导电型环状阱区配置于第一导电型衬底中。二第一导电型掺杂区配置于由第二导电型环状...

本发明是有关于一种静电放电保护装置。其包括一第一导电的一第一井区、一第二导电类型的一第二井区、位于第一井区内的第二导电类型的一源极区以及一第二导电类型的一漏极区，且一部分位于第二井区内。与第一井区接触的一井是耦接至源极区。第一导电类型的...

提供一种非易失性存储器的操作方法。首先，提供一待编码存储器，该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数...

一种存储装置实施例包含一底电极结构及一顶电极结构，及一存储单元在两者之间。该存储单元包含一底存储元件及一顶存储元件，及一介电元件在两者之间。一较低电阻导电路经形成在介电元件。该介电元件具有一外缘和一中心部位，而该外缘较厚于该中心部位。为...

本发明公开了一种硫属材料型存储装置及其制造方法，将利用掺杂氧化硅的硫属材料予以说明。形成具有接触表面的第一电极；形成有一部分与第一电极的接触表面接触的多结晶状态的相变存储器材料主体；以及形成与相变存储器材料主体接触的第二电极。上述工艺包...

本发明公开了一种多晶硅浮置栅极及其制造方法。该方法利用一沉积程序而形成一多晶硅浮置栅极的方法，包括以下步骤：选择一反应气体，和选择一第二气体，并应用于该沉积程序期间以形成该浮置栅极，该反应气体为ＳｉＸ，该第二气体为Ｙ；令Ｘ至少包括Ｈ↓［...

本发明揭露的存储单元感测方法是包含选择一存储单元。施加至存储单元的一第一偏压诱发存储单元中的第一反应。施加至存储单元的一第二偏压诱发存储单元中的第二反应，该第二偏压是与第一偏压不同。该方法包含根据该第一及第二反应之间的差值与一预定参考值...

本发明公开了一种监测电路、监测装置及其监测方法。一种晶片载入载出异常监测装置，包括一感测单元及一检测单元。感测单元用以提供一感测信息，感测信息用以表示晶片是否突出于一载台的一侧。检测单元用以依据感测信息来判断晶片突出于载台的此侧的时间是...

本发明公开一种存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法，非挥发虚拟接地存储器阵列，其可储存两位信息于存储器半导体存储单元中，此非挥发虚拟接地存储器阵列具有一非导电的电荷捕捉介电质，例如氮化硅，其置于至少一电性绝缘层之上，例如是氧化物。存储...

一种存储器装置与操作此装置的方法。所述方法包括施予偏压配置至存储单元以改变电阻状态从较高电阻状态至较低电阻状态，其中施予偏压配置至存储单元包括施予跨过相变存储器元件的第一电压脉冲与第二电压脉冲，其中第二电压脉冲的电压极性不同于第一电压脉冲。

一种栅极二极管非挥发存储单元，其具有一电荷储存结构，包含一二极管结构及一额外的栅极终端。相邻的栅极二极管非挥发存储单元之间具有电性隔离。实施例包含个别存储单元、该种存储单元的阵列、操作该存储单元或该存储单元阵列的方法、以及其制造方法。

本发明是有关于一种基底传送方法及基底传送装置。在基底传送方法中，在第一位置的第一板体表面上提供基底，将第一板体从第一位置移动至位于第二板体上部空间的第二位置，将基底自第一板体的表面升起，且将基底从上部空间放到第二板体的表面上。基底传送装...

本发明公开了一种存储装置及其制造方法。此处所述的存储装置包含多个存储单元。该多个存储单元中的每一存储单元包含：一二极管，其包含有掺杂半导体材料、一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准的侧边。每一...

本发明提供一种具有混合背景声音功能的语音通讯装置及设定方法。该装置可以在通讯时将一背景声音与一语音混合，包括：一热键，用以在接听电话之前开启一背景声音选单；一储存装置，储存所述背景声音选单；一显示器，显示所述背景声音选单；一选择装置，用...