本发明公开了一种以高密度电阻材料为主的半导体存储装置及其制造方法。本发明所揭露的一存储装置包含多个存储单元在字线跟位线之间。每一存储单元包含一二极管及多个存储元件，而每一存储元件包含一种或多种金属氧化物化合物，该二极管和该多个存储元件在...

本发明是关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件，其包括基底、栅极结构、掺杂区以及轻掺杂区。基底具有一阶状上表面，其中阶状上表面包括第一表面、第二表面及第三表面。第二表面低于第一表面。第三表面连接第一表面与第二表面。栅极结构配置于第...

一种相变式存储装置和其操作方法，其中的操作存储单元的方法，包括一可程序化至多个阻值状态的相变存储元件，方法包括：施加一第一脉冲通过相变存储元件以将该阻值状态由一第一阻值状态改为一第二阻值状态，第一脉冲具有一前缘与一后缘，其中在第一脉冲的...

本发明公开了一种存储器芯片及其操作方法。存储器芯片包括多个焊垫。本方法包括：分别输入多个第一测试信号至焊垫，其中任意两实体相邻的焊垫所对应的第一测试信号是彼此互补的；接着第一测试信号之后分别输入多个第二测试信号至焊垫，其中对应各焊垫的第...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。此方法包括施加第一位线电压至存储单元来检测存储单元的第一电流。当第一电流大于关于第一位线电压的第一参考电流时，判定第一数据储存区为未编程状态。否则，施加第二位线电压至存储单元来检测存储单元的第二电...

一种数字模拟转换器，具有多个相接成串的晶体管－电阻器单元，而每一晶体管－电阻器单元各有以一对互补的控制信息来控制其开启／关闭的一对晶体管。由于每一晶体管－电阻器单元的两个晶体管是对称地排列，故可依所接收的数字代码精确地决定其等效电阻值，...

本发明公开了一种存储装置及其制造方法。一种存储装置包含具有一ＰＮ结的一驱动器，该ＰＮ结是以包含一第一导电类型的一第一掺杂半导体区域以及不同于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺杂半导体区域所形成，该第一掺杂半导体和该第二掺杂半导体之...

本发明公开了一种集成电路及其制造方法。集成电路包括位于衬底上的多个存储单元。此多个存储单元包括：第一组存储单元，包括第一存储器材质；以及第二组存储单元，包括第二存储器材质。第一存储器材质和第二存储器材质具有不同属性，使得第一存储单元和第...

本发明公开了一种读取与编程存储器的方法，存储器包括多个存储单元并具有对应目标存储单元的预设编程验证值，该方法包括编程目标存储单元的第一侧使得其阈值电压值不低于预设编程验证值；读取目标存储单元的第二侧的阈值电压值并据以取得对应的第一侧的校...

本发明公开了一种地址信号传输方法及存储器系统，该地址信号传输方法，用以传输地址信号至存储器，地址信号被分为一原始最高位位（ＭｏｓｔＳｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ?Ｂｉｔ，ＭＳＢ）群及一最低位位（Ｌｅａｓｔ?Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ?Ｂｉｔ，ＬＳＢ...

本发明公开了一种应用于电阻式随机存取存储器的电脉冲电压操作方法。本发明所揭露的存储装置制造方法包括形成金属－氧化物存储元件，以及施加活化能至该金属－氧化物存储元件。于本发明的实施例中，活化能的施加可通过施加电能及／或热能至金属－氧化物存...

本发明公开了一种晶片的检测方法。首先，提供晶片，晶片包括多个曝光区。各曝光区包括在第一方向上排列为２行、在第二方向上排列为Ｎ行的２×Ｎ个芯片，其中Ｎ为大于２的正整数，第一方向与第二方向垂直。接着，沿着扫描方向扫描晶片，其中扫描方向不同于...

本发明公开了一种多级切换的金属－氧化物为基础的电阻式随机存取存储器及其操作方法。此处所描述的方法包括施加一系列的调整偏压于一选取金属－氧化物存储元件以改变该选取金属－氧化物存储元件的电阻状态自多个电阻状态的一第一电阻状态至一第二电阻状态...

本发明是有关于一种记忆体阵列以及记忆体装置。该记忆体装置，包括：一基底、多个字线、多个导电区以及至少一遮蔽插塞。基底上配置字线，且配置至少一虚拟字线邻近该些字线。导电区则位于基底中且分别介于该些字线之间。遮蔽插塞位于基底上并且邻近虚拟字...

本发明是有关于一种形成介电质的方法，该方法包括在制造工艺室中提供具有含硅半导体层的基材，其中该制造工艺室可将制造工艺前驱物离子化为包括含氧成分与含氟碳成分的等离子体。而藉由该等离子体可使含硅材料的表面部分氧化，以将该表面部分转变为氧化介...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，该方法包含：向存储单元施加复位偏压配置，以使电阻状态自较低电阻状态改变至较高电阻状态；所述复位偏压配置包括第一电压脉冲；所述方法更包含向所述存储单元施加设定偏压配置，以使电阻状态自较高电阻状态改变...

本发明公开了一种具有埋入相变化区域的存储单元及其制造方法。本发明公开的一种存储单元包含一底电极包括一衬底部位及一柱状部位在该衬底部位之上，该柱状部位具有小于该衬底部位的一宽度。一介电层围绕该底电极且具有一顶表面。一存储元件于该底电极之上...

本发明公开了一种具有非对称的隧穿势垒结构的电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法。此存储单元包括一源极区域与一漏极区域并由一通道区域所分隔。一第一隧穿势垒结构置于该通道区域上方，一浮动栅极置于该第一隧穿势垒结构及该通道区域之上，一第二...

本发明是有关于一种资料储存结构、记忆装置以及该记忆装置的制造工艺。该记忆装置，包括基底、在基底上的资料储存结构、在资料储存结构上的控制栅极以及在资料储存结构与控制栅极之间的介电层，其中各资料储存结构包括下部与窄于下部的上部。亦叙述一种记...

本发明公开了一种具有改善结构稳定性的存储单元及其制造方法。此处所描述的存储单元包含一底电极包含一衬底部分及一柱状部分于该衬底部分之上，该柱状部分及该衬底部分具有各自的外表面且该柱状部分具有一宽度小于该衬底部分的宽度。一存储元件于该底电极...