本发明是有关于一种记忆胞、记忆体装置及记忆胞的制造方法。该记忆胞，包括基底、堆叠栅极结构及第一隔离结构。基底具有第一掺杂区、第二掺杂区与通道区，通道区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。堆叠栅极结构设置于通道区上，堆叠栅极结构由下而上至少包...

一种空气隧道浮栅存储单元，包括将空气隧道限定在衬底上，将第一多晶硅层（浮栅）限定在空气隧道上，将氧化物层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化物层覆盖第一多晶硅层，并且限定空气隧道的侧壁，将第二多晶硅层作为字线限定在氧化物层上。本发明也公开了一...

一种操作非易失性存储元件的方法。此存储元件包括多个存储单元。存储单元具有ｎ型半导体衬底，以及设置于衬底表面下、且以沟道区分隔的ｐ型源极与漏极区。穿隧介电层设置于沟道区上。电荷存储层设置于穿隧介电层上。顶绝缘层设置于电荷存储层上，而栅极则...

本发明提供许多不同的实施例以增加在多模总线上的许多引脚上同一方向进行数据传输的传输速度。此总线具有多个数据传输引脚以在此总线上进行传输。此总线也具有芯片选择引脚，以指示在该集成电路与另一集成电路之间是否正在进行通讯。此总线还具有时钟引脚...

本发明公开了一种具有存储器集成电路的装置，该装置具有存储器阵列及控制逻辑。控制逻辑至少具有第一地址模式及第二地址模式。于第一地址模式下，指令包含第一指令码与第一长度地址。而于第二地址模式下，指令包含第一指令码与第二长度地址。第一长度地址...

一种相变存储装置及其制造方法，包括存储元件、导电接触窗、绝缘元件、下电极以及上电极。存储元件包括位于导电接触窗上的可编程电阻存储材料。绝缘元件包括管状部分，其由导电接触窗延伸至存储元件，且具有近端、远端以及定义出内部的内表面，近端与导电...

一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括多个多阶存储单元及控制器。控制器依据目标编译码将输入资料进行编码以产生多个编码子集，并将上述编码子集存入上述多阶存储单元。之后，控制器可从上述多阶存储单元读取资料，且进行错误校正程序以将所读取的...

本发明涉及施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法。本发明提供一种操作非易失存储单元、或操作该单元阵列中至少一单元的方法与装置，其中当增加电荷至电荷储存结构时，一源极区域或一漏极区域为浮接。

本发明公开了一种具有一个或多个非定值掺杂浓度分布的相变化存储器，其包含一具有例如是硫属化物ＧＳＴ的相变化材料主体及一个或多个添加物的存储元件，其中添加物具有一沿着通过存储元件的电极间电流路径非定值添加浓度分布。此处的名词″非定值″添加物...

本发明是揭露一种相变化存储装置及其操作方法。此处所描述的相变化存储装置及其操作方法是根据以下发现而提出，施加一初始高电流操作于一相变化存储单元以建立高电阻复位状态之后，可以使用在不同的偏压电压下此存储单元的电流电压行为来检测此存储单元是...

本发明公开了一种具有稳定微结构的相变存储器装置及集成电路的制造方法。此相变材料元件在主动区中具有经修改的化学计量，其在设定状态中并不展现出电阻的漂移。一种制造此存储器装置的方法，包含：首先制造包含相变存储单元的阵列的集成电路，相变存储单...

本发明公开了一种用于感测及确定边限存储单元的存储器装置及其操作方法。边限存储单元侦测及更新可包括：读取选定存储单元；测量在读取期间与选定存储单元的电阻相关的时间间隔；以及在测得时间落入预定范围时致能更新程序。更新程序包含：判定储存于选定...

本发明公开了一种具有自动时序调整功能的集成电路及时序调整方法，该时序调整方法，可以补偿集成电路中的工艺变化与电源电压变化。当集成电路处于自动内部调整模式时，施加一参考信号，并且在施加预先定义的参考周期之后，集成电路时序会被调整到一预定目...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，所描述的存储器装置包含相变存储器单元的参考阵列及相变存储器单元的存储器阵列，其中储存于所述参考阵列中的当前数据集与预期数据集之间的差异用以判定何时更新所述存储器阵列。所述参考阵列的高电阻状态为“部...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。此装置包括具有第一与第二区域的基底。第一区域包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管包括：基底内的被水平通道区隔开的第一与第二掺杂区；栅极，位于水平通道区上；第一介电层，覆盖栅极。第二区域包括第二场...

本发明是有关于一种绝缘结构及其形成方法。该绝缘结构，包括一沟槽。沟槽位于一基板中。沟槽的一侧壁具有一第一斜面以及一第二斜面。第一斜面位于第二斜面上。第一斜面的斜率不同于与第二斜面的斜率，且第一斜面的一长度大于１５纳米。

本发明公开了一种以区块为基础快闪存储装置及其操作方法，所描述的以区块为基础快闪存储装置的数据管理技术可以避免在每次更新储存于此快闪存储装置中的数据时就必须进行区块擦除操作。其结果是，可以在需要一区段擦除操作之前进行较大数目的写入操作。此...

本发明公开了一种具有晶体管、电阻及电容的相变化存储装置及操作此种装置的方法。此处所描述的一存储装置包含一晶体管与第一及第二存取线电性耦接。一可编程电阻存储元件安置于沿着该第一及第二存取线之间的一电流路径上。以及一电容与介于该第一及第二存...

在此描述一种存储单元，其包括导电性接触部和包含覆盖在导电性接触部上的可程序化电阻存储器材料的存储器元件。绝缘元件从导电性接触部延伸至到存储器元件内，绝缘元件有近端、远程和用以定义内部的内表面。近端邻近导电性接触部。底电极与导电性接触部接...

一种存储器，包括存储器阵列、第一及第二操作电路。存储器阵列包括存储单元，用以储存第一及第二位（Ｂｉｔ）。第一操作电路用以对具有实质上相同初始临界电压状态的第一及第二位施加相同数目的编程电压（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ?Ｓｈｏｔ），以将第一及第二...