本发明公开了一种存储装置与用以操作此装置的方法。在用以操作存储单元的方法中，存储单元包括相变材料且可编程至包括高电阻状态与较低电阻状态的多个电阻状态。操作存储单元的方法包括施加第一偏压配置至存储单元以建立较低电阻状态，其中第一偏压配置包...

本发明公开了一种存储器阵列及其制造方法。此存储器阵列包括衬底、多条字线、电荷捕捉结构、多个沟道通道与多条位线。字线位于衬底上，且字线彼此相平行。电荷捕捉结构覆盖该多个字线的表面。沟道通道位于衬底上，且字线与沟道通道交替排列，且该多个沟道...

硅化物构件分开单晶硅节点及下方的硅基底，且能够用作导电构件以在组件上相互连接组件。单晶硅节点可用作二极管的一端点，且在单晶硅节点上的第二半导体节点可用作二极管的另一端点。单晶硅节点可用作晶体管的一端点，加上依续形成在单晶硅节点上的第二及...

一种操作非易失性存储器的方法与装置。只有当操作电压介于指定的范围和储存在非易失性存储器中的资料样本是重复地被正确读取时，写入指令才被执行。

本发明是有关于一种扩大记忆胞操作区间的方法及应用其的非挥发记忆体阵列，是在虚拟接地（ｇｒｏｕｎｄ）电荷捕捉记忆体ＥＥＰＲＯＭ阵列中，扩大其电荷捕捉记忆胞的程序化区间的方法。该方法可实质上消除第二位元效应，同时将干扰程序化至相邻的电荷储存...

一种存储器阵列，包括存储单元及全域位线。存储单元具有源极掺杂区及漏极掺杂区，且全域位线由选择晶体管耦合至源极掺杂区及漏极掺杂区。选择晶体管的连接关系被设计为：分别耦接至待读取的存储单元的源极及漏极的两条全域位线，各自的负载电容不会随着待...

本发明公开了一种半导体清洗方法与装置及其控制方法。该半导体清洗方法包括步骤：提供显影液至晶片的一已预先曝光的光刻胶层上；使位于晶片的中央上方位置的喷嘴持续一段时间喷洒清洗液至光刻胶层，其中，清洗液不与光刻胶层与显影液反应；沿着晶片的半径...

本发明公开了一种存储器装置及操作存储器的方法。此存储器装置包括存储器与控制器。存储器具有多个存储单元，且每一个存储单元具有第一端与第二端。第一端与第二端中的每一个被编程以储存一位的数据。控制器编程存储单元的第一端与第二端至不同的电平。经...

本发明公开了一种３Ｄ半导体结构及其制造方法。３Ｄ半导体结构至少包括一第一存储单元和叠层于第一存储单元上方的一第二存储单元。第一存储单元包括一第一导线和一第二导线。第二存储单元包括第二导线和与第一存储单元的第一导线相对的另一第一导线，且第...

本发明揭露一种集成电路元件，包含薄膜晶体管，叠层阵列，且在无接面的ＮＡＮＤ组态下采用带隙工程隧穿层。所述集成电路元件包含通道区域，被形成于绝缘层上的半导体主体内；隧穿介电结构，被置于该通道区域上，且隧穿介电结构包含多层结构，又该多层结构...

本发明是有关于一种金属膜堆叠的制造方法及包含该金属膜堆叠的集成电路。该在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其包括：在一内连线结构上直接沉积一金属层，该内连线结构包括设置于一层间介电质中的多个导电插塞；以及在该金属层上直接沉积一抗反射涂布...

本发明是有关于一种非挥发性记忆胞的操作方法及运用该方法的记忆体装置。该非挥发性记忆胞的操作方法，包括通过一第一类型载子的双边偏压注入（Ｄｏｕｂｌｅ－Ｓｉｄｅ?Ｂｉａｓｅｄ，ＤＳＢ）来预先擦除一挥发性记忆胞，以及通过一第二类型载子的福勒－...

本发明是有关于一种存储器及其制造方法。该存储器包括：一突出半导体；一挥发性可编程结构；一介电质结构；一栅极结构；以及一控制电路，是供应偏压调整至该突出半导体与该栅极结构。该存储器，是适用于动态随机存取存储器的应用以及低功率需求的应用上。...

本发明是有关于一种集成电路制造工艺中使间距缩小的材料图案化的方法。此方法包括图案化在基板上的第一材料之上的第二材料。转换已图案化的第二材料的表面部分以形成第三材料和剩余的已图案化的第二材料，其中，第三材料位于剩余的已图案化的第二材料的周...

一种存储单元阵列的制造方法，其包括以下步骤：在一衬底上依序形成一介电层以及一导体层，该介电层以及该导体层构成多条行；在每条该行的中心部位移除该介电层以及该导体层以形成一预先决定宽度的空间，使得各行隔离为第一部分以及第二部分；以及图案化各...

本发明公开了一种存储器元件及其操作方法。存储单元包括第一电极及第二电极。存储单元还包括相变材料，其具有沿第一电极与第二电极之间的电极间电流路径串联排列的第一主动区域和第二主动区域。

本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电...

本发明公开了一种存储单元及制造存储单元阵列的方法。本发明所公开的存储单元包含一存储单元层具有一第一介电层于该底电极层之上、一第二介电层于该第一介电层之上、及一顶电极于该第二介电层之上。该多个介电层定义一介层孔，具有一第一部分由该第一介电...

一种用于操作存储器元件的系统包含：具有若干存储器单元的存储器阵列以及以字符线耦接至存储器单元的一组动态参考单元。动态参考单元中的每一个向相关联的存储器单元提供用于判定相关联的存储器单元中的至少一个的状态的动态参考值。这个动态参考值能够反...

本发明公开了一种感测放大器电路及其数据感测方法。一种数据感测方法，用以感测第一及第二存储单元（Ｍｅｍｏｒｙ　Ｃｅｌｌ）中的储存数据。数据感测方法包括下列步骤：响应于第一频率讯号的致能电平，根据与第一存储单元对应的位线（Ｂｉｔ　Ｌｉｎｅ）...