【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种感测放大器电路(SenseAmplifier),且特别是有关 于一种可縮短感测放大器进行电压感测时间的感测放大器电路及其数据 感测方法。
技术介绍
随着科技发展日新月异的现今时代中，非易失性(Non-volatile)存储器， 例如是闪存(flash)已广泛地应用在各种电子产品中。传统上，当欲读取闪 存中的存储单元(Memory Cdl)中所记录的储存数据时，是透过栏译码器 (Column Decoder)及列译码器(Row Decoder)来对此存储单元进行偏压，使 此存储单元产生感测电流。之后透过感测放大器(Sense Amplifier)来侦测此 感测电流，以判断此储存数据数值。然而随着科技的发展，市场对闪存的存取速度要求系日益提升。因此， 如何发展出可有效地提升感测放大器的数据感测速度的技术为业界不断 致力的方向之一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种感测放大器电路(Sense Amplifier)及其数据感测方法，相较于传统感测放大器电路，本专利技术提出的 感测放大器电路具有数据感测速度较快的优点。根据本专利技...
【技术保护点】
一种感测放大器电路，用以感测储存于一存储器中一第一存储单元及一第二存储单元的储存数据，其特征在于，该感测放大器电路包括： 一参考电平设定电路，用以根据一参考数据设定一参考电压； 一比较器电路，用以比较一感测电压及该参考电压的电平 ，以对应地产生一输出电压； 一第一电平设定电路，用以响应于一第一频率讯号根据与该第一存储单元对应的一第一位线电压设定一第一电压； 一第二电平设定电路，用以响应于一第二频率讯号根据与该第二存储单元对应的一第二位线电压设定一第二电压 ，其中该第一及该第二频率讯号具有不同的相位；以及 一开关电路，用以响应于该第...
【技术特征摘要】
1、一种感测放大器电路，用以感测储存于一存储器中一第一存储单元及一第二存储单元的储存数据，其特征在于，该感测放大器电路包括一参考电平设定电路，用以根据一参考数据设定一参考电压；一比较器电路，用以比较一感测电压及该参考电压的电平，以对应地产生一输出电压；一第一电平设定电路，用以响应于一第一频率讯号根据与该第一存储单元对应的一第一位线电压设定一第一电压；一第二电平设定电路，用以响应于一第二频率讯号根据与该第二存储单元对应的一第二位线电压设定一第二电压，其中该第一及该第二频率讯号具有不同的相位；以及一开关电路，用以响应于该第一频率讯号提供该第一电压作为该感测电压，并响应于该第二频率讯号提供该第二电压作为该感测电压。2、 根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，其中该开 关电路包括一第一开关，包括第一输入端及第二输入端，分别耦接至该第一电平设定电路以接收该第一电压及耦接至该比较器电路；及一第二开关，包括第一输入端及第二输入端，分别耦接至该第二电平 设定电路以接收该第二电压及耦接至该比较器电路。3、 根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，其中该第 一电平设定电路包括一第一节点，该第一节点上的电压为该第一电压；一第一晶体管，用以响应于该第一频率讯号的致能电平导通，使该第一电压接近一高电压；一第二晶体管，第一源极/漏极耦接至与该第一存储单元对应的一第一位线，以接收该第一位线电压，第二源极/漏极耦接至该第一节点，栅极接 收一第一控制电压，该第二晶体管受控于该第一控制电压导通，使该第一 电压接近一低电压；及一反相器电路，用以响应于该第一位线电压产生该第一控制电压。4、 根据权利要求3所述的感测放大器电路，其特征在于，其中该第 一电平设定电路进一步包括一第三晶体管，用以响应于该高电压对该第一电压进行偏压。5、 根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，其中该第 二电平设定电路包括一第二节点，该第二节点上的电压为该第二电压；一第四晶体管，用以响应于该第二频率讯号导通，使该第二电压接近 一高电压；及一第五晶体管，第一源极/漏极耦接至与该第二存储单元对应的一第二 位线，以接收该第二位线电压，第二源极/漏极耦接至该第二节点，栅极接 收一第二控制电压，该第五晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈重光，施义德，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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