操作存储器元件的系统及方法技术方案

一种用于操作存储器元件的系统包含：具有若干存储器单元的存储器阵列以及以字符线耦接至存储器单元的一组动态参考单元。动态参考单元中的每一个向相关联的存储器单元提供用于判定相关联的存储器单元中的至少一个的状态的动态参考值。这个动态参考值能够反映出相关联的存储器单元中的至少一个的临限值变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上是关于一种存储器元件(memory device)且更特别地是 关于一种操作存储器元件的系统以及方法。部件技术闪存为一种类型的非挥发性存储器，其可多次被写入以及擦除且可在 无功率消耗的情况下保持其内容。氮化物只读存储器(Nitride read onlymemory, NR0M)作为闪存的一种类型，可包括用于资料储存的NR0M单元 (cells)的N列乘M行阵列。每一 NROM单元可包括具有形成在P型基板上 的源极、漏极以及堆栈栅极结构的金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, M0S)晶体管。栅极结构可包括覆盖氧化物/氮化物/氧化 物(oxide/nitride/oxide, 0N0)堆栈层的多晶硅层，其中氮化物层充当电 子陷入层(electron trapping layer)。每一 NROM单元可储存资料的一或多个位。举例而言，双位存储器元 件允许在单一单元中储存资料的两个位， 一位被储存在邻近源极区域的陷 入层中且另一个被储存在邻近漏极区域的陷入层中。在陷入层的一区域中 存在或不存在负电荷可表示相应位的状态。在利用ONO堆栈本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作存储器元件的系统，其特征在于，包括：　一存储器阵列，具有多个存储器单元；　多个字符线，各自耦接至相应列中的所述存储器单元中的至少一个；　多个位线，各自耦接至相应行中的所述存储器单元中的至少一个；以及　一组的动 态参考单元，每一动态参考单元连接至所述字符线中的一个，以提供一动态参考值，该动态参考值用于判定耦接至对应于该动态参考单元的字符线上的所述存储器单元中的至少一个的状态，　其中该动态参考值能够反映出与该相应字符线耦接的所述存储器单元中的至 少一个的一临限值的变化。

【技术特征摘要】
US 2008-3-21 12/053,4111.一种操作存储器元件的系统，其特征在于，包括一存储器阵列，具有多个存储器单元；多个字符线，各自耦接至相应列中的所述存储器单元中的至少一个；多个位线，各自耦接至相应行中的所述存储器单元中的至少一个；以及一组的动态参考单元，每一动态参考单元连接至所述字符线中的一个，以提供一动态参考值，该动态参考值用于判定耦接至对应于该动态参考单元的字符线上的所述存储器单元中的至少一个的状态，其中该动态参考值能够反映出与该相应字符线耦接的所述存储器单元中的至少一个的一临限值的变化。2. 如权利要求1所述的操作存储器元件的系统，其特征在于，其中该组的动态参考单元邻近该存储器阵列。3. 如权利要求1所述的操作存储器元件的系统，其特征在于，其中该动态参考单元能够使该动态参考值与耦接该相应字符线的所述存储器单 元中的至少一个的该临限值之间的差值维持稳定。4. 如权利要求1所述的操作存储器元件的系统，其特征在于，还包括 一控制电路，能程序化所述动态参考单元。5. 如权利要求4所述的操作存储器元件的系统，其特征在于，其中该控制电路是以连接至该相应字符线的该存储器单元中的至少一个的该临 限值的低边界，来程序化所述动态参考单元。6. 如权利要求1所述的操作存储器元件的系统，其特征在于，还包括 一小型单元参考阵列，能提供随时间保持稳定的参考值。7. 如权利要求1所述的操作存储器元件的系统，其特征在于，还包括 多个主感测放大器，能够读取耦接至该相应字符线的所述存储器单元中的 至少一个的单元值。8. 如权利要求1所述的操作存储器元件的系统，其特征在于，还包括一动态参考感测放大器，能够渎取来自所述动态参考单元中的一个的动态 值。9. 一种操作存储器元件的系统，其特征在于，包括 一存储器阵列，具有多个存储器单元；多个字符线，各自耦接至相应列中的所述存储器单元中的至少一个； 多个位线，各自耦接至相应行中的所述存储器单元中的至少一个；一组的动态参考单元，每一动态参考单元连接至所述字符线中的一 个，以提供一动态参考值，该动态参考值用于判定耦接至对应于该动态参考单元的字符线上的所述存储器单元中的至少一个的状态；以及一控制电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟五，权彝振，刘承杰，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]