操作非易失性存储器的方法与装置制造方法及图纸

一种操作非易失性存储器的方法与装置。只有当操作电压介于指定的范围和储存在非易失性存储器中的资料样本是重复地被正确读取时，写入指令才被执行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种操作非易失性存储器的方法与装置，且特别是有关于一种用以可靠地操作非易失性存储器的方法与装置。
技术介绍
非易失性存储器(Non-Volatile Memory NVM)装置被广泛地应用在各种工业，商 业和消费性产品中。手机，个人数字助理(PDA)和调制解调器(Modem)只是一些将嵌入式 非易失性存储器模块设置在其一般配置中的应用例子。 即使供应存储器的电力消失，储存在非易失性存储器中的资料的完整性仍可以保 存。例如，当手机关机后，使用者电话簿中的姓名和电话号码仍可正常地保存于手机的非 易失性存储器中。不像其它型式的存储器，例如是掩膜式只读存储器(Masked Read-Only Memory MR0M)，正常情况下只能在制造时被编程，且编程完后若要改变，只能去更改那昂贵 的定义掩膜式只读存储器内容的掩膜。但储存在非易失性存储器中的资料则可以被非易失 性存储器中所嵌入的装置所修改。例如，使用者可以编程储存于手机非易失性存储器中的 姓名，电话号码和其它资料的储存值。这些储存需要相当复杂的操作，而这些操作不是使用 者所能看见的，却是维持被储存的资料的完整性所必需的。 基本上，根据非易失性存储器制造商所提供的规格表去操作该非易失性存储器或 /和其它相关的存储器控制器，是非易失性存储器装置使用者(例如，手机制造商)的责任。 虽然如此，这些使用者却可能有违反制造商规格表的动作。而存储器控制器可以由比较所 提供的操作电压的值(例如是Vcc)与高电压限制HVCC和低电压限制LVCC，来侦测这些违 反的动作，而且当Vcc的数值并没有介于高电压限制和低电压限制范围内时，存储器控制 器可以禁止任何企图去写入非易失性存储器的动作。然而，操作上的变异和温度效应可能 导致LVCC和HVCC侦测器变得不准确，导致当特定的操作电压限制已被违反时，存储器控制 器从非易失性存储器中进行读取或写入的失败。 所以，当非易失性存储器的操作可靠度被质疑时，先前技术存在有避免对一非易 失性存储器进行读取或写入的需求。
技术实现思路
本专利技术由提供操作一存储器装置的方法来满足这些需求，存储器装置有一资料样 本储存在其中。于此揭露的方法的实施方式中，其包括接收为一已知数值的一资料样本，从 存储器装置中读取资料样本以产生一测试读取数值，并比较测试读取数值与已知数值。此 实施方式还包括当测试读取数值相异于已知数值时，禁止一写入指令。 此方法的实施方式还包括接收一操作电压，接收一高电压限制，接收一低电压限制，且当操作电压是大于高电压限制或小于低电压限制时，禁止一写入指令。 此方法的另一实施方式可包括接收一正整数N，重复(资料样本的)读取N次，且当此N次测试读取数值中至少一次与此已知数值相异时，禁止此写入指令。 此方法的进一步实施方式可包括当此操作电压是不大于高电压限制，当操作电压 是不小于低电压限制，且当此N次测试读取数值中每一次皆完全相同于此已知数值时，处 理此写入指令。 本专利技术的装置的实施例包括用以控制具有一资料样本储存于其中的一存储器装 置的一存储器控制器。此资料样本具有一已知数值，其对应于从此存储器装置中读取此资 料样本时所应得到的读取的数值。此存储器控制器是用以从此存储器装置读取此资料样 本，因此产生一测试读取数值，且比较此测试读取数值与此已知数值，例如是此存储器装置 中的资料样本的实际数值，且当此测试读取数值相异于此已知数值时，禁止此写入指令。 从上下文、说明书中所载明者、和所属
中具有通常知识者的知识来看，如 果于任何特征的组合中，其特征不会相互不一致的话，则所叙述的任一特征或特征的组合 是包含于本专利技术的范围之内。另外，任一特征或特征组合可被特别地从本专利技术的任一实施 例中排除。为了总结本专利技术的目的，本专利技术中一些方面，优点和新颖特征将被叙述。当然， 可明了的是，将所有的方面，优点和特征实施于本专利技术任一特别实施方式中不是必需的。本 专利技术中其它的优点和方面将清楚地描述于下文的实施方式与申请专利范围中。附图说明 为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作 详细说明如下，其中 图1是说明于一非易失性存储器装置中保护资料的先前技术的方法的流程图； 图2是描述根据本专利技术于一非易失性存储器装置中保护资料的方法的流程图； 图3是描述根据本专利技术于一非易失性存储器装置中保护资料的另一方法的流程 图； 图4是为使用一非易失性存储器装置的系统的实施例的方块图；以及 图5是为根据本专利技术来保护存储器系统的实施例的方块图。具体实施例方式现将详细的撰写本专利技术中较佳实施例的参考，也将于伴随附图中说明其例子。于 附图与实施方式中，相同或相似的参考号码会被用来指向相同或类似的部份。应被注意的 是，附图为一简化形式，且于所有实施例中，附图不是自动地被假设成依照精确的尺寸所绘 制。也就是说，它们意指本专利技术中不同方面的实施例的例子，且根据一些但不是全部的实 施例，为按比例縮放。当根据一些特定的实施例，这些附图中的结构被解释成有縮放的话， 于其它实施例中相同的架构则不应解释成有縮放。于本专利技术中一些方面，附图与实施方式 中，相同的指定号码的使用是企图意指相似或类似但不一定相同的部件或元件。根据其它 方面，附图与实施方式中，相同的指定号码的使用是企图被解释成指向相同、实质相同、或 功能相同的部件和元件。关于实施方式，只为了方便和清楚的目的，方向性用语，例如是顶、 底、左、右、上、下、在上面、在上方、下、在下面、在下方、后面，以及前面，将伴随附图使用。这 些方向性用语于任一方面都不应该被解释为限制专利技术范围。 虽然于此实施方式与一些所描述的实施例有关，该明了的是这些实施例是以例子 的方式呈现，而不是以构成限制的方式存在。该伴随此说明书的目的为由以下的实施方式5的说明来讨论示范性的实施例，实施方式可解释为包含为由专利范围所定义的本专利技术的精 神和范围的范围内的所有的润饰、改变或等效实施例。该明了的是，于此描述的方法步骤和 结构不包含为了非易失性存储器的操作的一完整方法流程。本专利技术可与不同的操作方法 与其它被使用于此领域的习知技术一起使用，且只有共同实施的步骤会包含于此实施方式 中，以理解本专利技术。本专利技术于此半导体装置和一般操作领域有可应用性。然而为了说明目的，下述描述是针对一非易失性存储器装置和相关方法。 更具体的请参照附图，图1为一说明一于存储器装置(可为一非易失性存储器装 置(non-volatile memory, NVM))中保护资料的先前技术的方法的流程图。当一操作电压 Vcc是超越范围，则此说明的先前技术的方法企图去侦测，且当侦测到这些情况时禁止一写 入到此非易失性存储器中。由接收一写入指令和接收一提供电压值Vcc，此方法开始于步 骤5且继续至步骤10。于步骤15中，比较此操作电压Vcc与一高限制HVCC。若此操作电 压是大于此高限制，则跳到步骤30去禁止此写入指令。若此操作电压没有大于此高限制， 则比较此操作电压与一低限制LVCC。若此操作电压是小于此低限制，则跳到步骤30去禁止 此写入指令。若此操作电压既没有大于高限制也没有小于低限制，则跳到步骤25允许写入 指令，且此方法于步骤35中中止。也就是说，若本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作存储器装置的方法，包括：接收为一已知数值的一资料样本；从该存储器装置读取该资料样本以产生一测试读取数值；比较该测试读取数值与该已知数值；以及当该测试读取数值相异于该已知数值时，禁止一写入指令。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，张坤龙，郭乃萍，陈耕晖，王裕谦，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]