本发明公开一种增进存储器编程效能的方法与装置，根据待编程的数据来动态地切换感测放大器和对应的驱动器，来有效地编程电荷捕捉存储器的存储单元的方法与装置。当一数量的感测放大器和驱动得以同时操作时，使用最多为此数量的可同时操作的感测放大器和驱...

一种托盘，包括一固定架，其具有多个卡槽，用以在工艺期间固定如集成电路的电子元件。托盘还包括一装置，可以耦接至固定架，用以追踪托盘送入或送出工艺室，这些工艺室是用来对放置在托盘上的电子元件进行特殊的工艺。在此也描述使用此托盘的机台和方法。

本发明一种应用于源极端感应存储器的偏压及屏蔽（Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）电路及操作方法，用以避免目标存储单元的感测电流受到第一相邻存储单元的源极电流的影响。偏压及屏蔽电路包括预放电装置、第一及第二偏压单元、第一及第二电压拉低单元及连接单元。预...

本发明提供储存单元，其包括：一半导体基板，其具有由通道区域隔开的至少两个源极/漏极区域；一置于所述通道区域上方的电荷捕获结构；以及一置于所述电荷捕获结构上方的栅极；其中所述电荷捕获结构包括一底部绝缘层、一第一电荷捕获层以及一第二电荷捕获...

本发明是有关于一种包含环绕井的具有静电放电容忍的输入／输出垫电路，包括一半导体主体，具有一第一导电类型，以及一接触垫。一环绕井具有一第二导电类型，且布局为一环而环绕于该半导体主体中的一作为静电放电电路的区域。此环绕井是相对较深的，且除了...

本发明揭露一种Ｎ－Ｐ－Ｎ双极性接合晶体管，其射极集极崩溃电压大于１０伏特，且增益常数β大于３００，在制造晶体管时加上一层Ｎ型层，可以减少电子与空穴的重新结合，同时也达到提高增益常数β的效果。

本发明公开一种利用位线动态切换增加编程效率的方法与装置，包括感应放大器通过切换位线以动态连接至欲被编程的存储单元。此方法可以增加同时被编程的存储单元数目，如此感应放大器的资源可以被最适当的使用。

一种解码电路，用以解码一所收指令。所收指令至少于一时钟信号的两个时钟周期内被传送，并据以分成前段编码资料与后段编码资料。解码电路包括一预触发信号产生单元、一比较单元及一启动信号产生单元。预触发信号产生单元用以撷取所收指令的前段编码资料，...

此处所描述的多芯片封装具有一芯片其具有分享输入及独特的存取识别码。一独特的第一识别码被分配且储存于一批芯片中的芯片。安置一组芯片于一多芯片封装上。施加一系列的扫描识别码于该分享输入以分配可用的存取识别码。每一个芯片中，比较分享输入的该扫...

本发明公开了一种在非易失存储集成电路上进行擦除操作的装置及方法，包括对一擦除操作时的擦除验证及擦除子操作的擦除群组的边缘字线及中央字线的改良分组。在另一种方案中，改变边缘字线的电压阶级以解决此擦除群组的过度擦除问题，且也可以改善其擦除时...

一种存储器的存储单元阵列包括主存储单元阵列及选择阵列。主存储单元阵列包括区域位线、字符线及存储单元。选择阵列包括主位线、位线晶体管控制线、晶体管及定值存储单元。区域位线包含第一与第二区域位线。存储单元各对应于一区域位线及一字符线并与之相...

本发明是有关于一种快闪记忆体及其制造方法与操作方法，快闪记忆体包括基底、电荷捕捉结构、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第一掺杂区与第二掺杂区。基底具有突起部分。电荷捕捉结构配置于基底上。第一栅极与第二栅极分别配置于突起部分二侧的电荷捕捉结...

本发明是有关于一种金属－接触窗堆叠结构。其中，一种半导体元件，其具有金属－接触窗堆叠结构。半导体元件包括基底、位于基底上的介电层、位于介电层中且耦接基底的接触窗、位于介电层中且位于接触窗上的第一导电区域、位于介电层中且位于接触窗上的介电...

本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件，包括基底、导体层、电荷储存层、多个隔离结构、多个第一掺杂区以及多个第二掺杂区。其中，基底中具有多个沟渠；导体层配置在基底上且填入沟渠中；电荷储存层配置在基底与导体层之间；隔离结构分...

本发明提供一种具有例如是温度、接地电压或是电源电压变动承受能力的集成电路时钟电路。一个改良的时钟集成电路可以在不同的实施例中解决温度、接地电压或是电源电压变动的一种或多种变动。

本发明提供一种存储电路装置的字符线驱动器。此处所揭露的一个范例字符线驱动器简化成具有一共同信号于此ｐ型晶体管及ｎ型晶体管的栅极。此处所公开的一个范例字符线驱动器通过施加一负电压至由多重字符线驱动器中所选取的一字符线驱动器以消耗较少的功耗。

本发明提供一种具有例如是温度、接地电压或是电源电压变动承受能力的集成电路时钟电路。一个改良的时钟集成电路可以在不同的实施例中解决温度、接地电压或是电源电压变动的一种或多种变动。

本发明公开一种存储集成电路，其具有控制电路存取该存储集成电路中的存储单元。该控制电路是响应指令，该指令包括一第一命令以指示地址位的一较高部分。一第二命令以指示地址位的一较低部分。该地址位的该较高部分及该较低部分构成该存储集成电路的一完整...

一种具有低特性导通电阻的侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管。叠层的Ｐ型顶部及Ｎ型梯度区域是为节状的圆弧，以分离晶体管的漏极及源极。

本发明是有关于一种多位准记忆胞的程序化方法及记忆装置，其中每个记忆胞有两个储存区。此程序化方法使第一储存区具有第一启始电压位准，第二储存区具有第二启始电压位准。其中，第一启始电压位准选自Ｍ个启始电压位准。当第一启始电压位准为此Ｍ个启始电...