【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例是关于半导体存储器，还进一步而言，是关于编程半导体存储器 的方法。
技术介绍
电荷捕捉存储器，亦称为闪存，已经广泛地运用于电子装置的中，诸如相机、移动 电话、个人数字助理等、调制解调器、笔记型计算机等。电荷捕捉存储器可以将相对较大的 数据储存在小空间中。储存在电荷捕捉存储器中的数据，就算缺乏电力供给，仍然可以维持 其数据的完整性。通过调整临界电压，可以编程电荷捕捉存储器的存储单元。由存储单元读取数据 则可以由施加参考电压与侦测目前阶级来完成。可编程为两个不同的临界电压之一，以储 存一位的信息的存储单元，通常称为单阶存储单元(SLC)。举例而言，当存储单元可支持四 个或八个不同的临界阶级时，该存储单元即可储存两个或四个数据位。此种可以在单一存 储单元中储存多于一个位的数据，称为多阶存储单元(MLC)。相较于单纯地读取或者写入存储单元，编程电荷捕捉存储单元的时间相对较大。 在涉及电子装置的应用中，数据需要尽快地被储存(例如在数字相机中)，冗长的编程时 间可能影响存储单元的操作效率，进而减损装置的整体效能。因此产生一种希望能够减低电荷捕捉存储器的编程...
【技术保护点】
１．一种利用位线动态切换增加编程效率的方法，其特征在于，该方法包含：提供一电荷捕捉存储单元（ＣＴＭＣ）阵列及多个感应放大器组态为对该阵列进行编程；接收即将被编程的数据进入该阵列中；根据该数据选取该阵列中的第一多个存储单元即将被编程的一阶级；以及尽可能使用该多个感应放大器将该阵列中的第二多个存储单元被编程至该选取的阶级。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周聪乙，陈弟文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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