本发明是有关于一种制造半导体装置导线的方法及内连线结构，该方法包括提供多条导线于一基板的一上表面之上，每一条导线之间由该基板的该上表面的一裸露部分分隔，形成一阻障层于该基板之上，该阻障层具有一第一部分顺形地形成于每一条导线之上，及一第二...

本发明公开了一种降低接触孔电阻的半导体元件制造方法。首先，提供具有至少一接触孔的一半导体结构；之后形成一势垒层如钛/氮化钛叠层(Ti/TiN?stack?layer)于接触孔处；接着，对半导体结构进行高温回火，而势垒层是在回火后形成一氧...

本发明公开了一种具有可调整栅极电阻值的晶体管的半导体存储器元件，包括具有可储存多个位数据的存储单元的阵列。存储单元是以多个连接至一共源极线的存储串作排列设置。每一存储单元包括以串联形式连接一电阻值的一可编程晶体管。此晶体管包括一处于多个...

本发明是有关于一种半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法。该制造方法，包含形成一具有多层半导体材料的结构。在此多层结构中进行一次或多次蚀刻工艺，且随后对此半导体多层结构进行氩/氧处理，此氩/氧处理的方式是让此半导体结构暴露在氩离子...

一种具有晶体管与电阻值切换装置并联的非挥发性存储器装置，其包括具有多个存储单元的阵列，其中每一存储单元能储存多个位的数据。这些存储单元排列成连接至共同源极线的多个存储器串行。每一存储单元包括一个可编程晶体管并联于一个电阻值切换装置。晶体...

本发明公开了一种制作工艺系统与清洗方法。制作工艺系统包括生产机台、浓度测定装置以及补偿装置；生产机台，适于使用化学溶液处理晶圆；浓度测定装置，用以测定处理过上述晶圆的上述化学溶液中至少一关键成分的浓度；补偿装置，用以在上述浓度测定装置所...

一种半导体生物传感器的制造方法，包括提供一基板，在基板上形成第一介电层，在第一介电层上形成图案化第一导电层，图案化第一导电层包括有一第一部分以及一对第二部分，于图案化第一导电层上方依序形成第二介电层、第三介电层、及第四介电层，在第四介电...

本发明提供一种双极接面晶体管装置，其包括基极区、射极区与集极区。双极接面晶体管装置包括基底。深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。该非挥发性记忆体，包括基底、堆叠栅极结构、二个掺杂区及多个间隙壁。堆叠栅极结构设置于基底上，其中堆叠栅极结构从基底由下而上依序包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层及导体层。掺杂区分别设置于...

本发明公开了区块为基础闪存的字节存取的方法与装置。此处所描述的技术使用擦除一次编程多次的渐进索引结构来管理快闪存储装置中的数据，可以避免在每次将储存在快闪存储装置中的数据字节进行区段擦除操作之后就必须更新的需求。储存在此阵列的可寻址区段...

一种具有提高崩溃电压及特定导通电阻的侧向式双重扩散的金属-氧化层-半导体。设置于结构内并环绕轻掺杂区的P场域提高崩溃电压并维持在特定的低导通电阻。

本发明公开了一种集成电路的时钟电路，其可以在承受电源变动下操作，一补偿电路由一供应电压提供电源，此补偿电路产生一补偿参考电压，该补偿参考电压是补偿该供应电压的变动；一比较电路比较该时序电路的一输出与该补偿参考电压以决定该时钟信号的时序。

本发明公开了一种相变化存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路。该集成电路相变化存储器可以通过引入第一电阻态于一些结构单元及存储器中，及第二电阻态于一些其它的结构单元及存储器中，来被预编码，以代表一数据组。在编码数据组之后，此集...

本发明公开了一种自动对准的鳍型可编程存储单元，该存储单元具有一底电极与一存取装置电性耦接、一顶电极及一L形存储材料元件与底电极和顶电极电性耦接。一种存储阵列包括由上述存储单元构成的阵列，其与存取装置阵列电性耦接。本发明的另一目的为提供一...

本发明公开了一种存储装置及其制作方法。该存储装置包含多条位线及一纵向晶体管阵列排列于该多条位线之上。多条自动对准的薄膜侧壁字线沿着该纵向晶体管阵列的列方向排列，其包含以字线材料形成的薄膜侧壁字线，且排列成使得薄膜侧壁在列(X轴)方向合并...

本发明公开了一种适用于相当高的电压施加的半导体装置，包括：一衬底；一第一N型阱区域，位于衬底中，用以作为供半导体装置用的一高电压n阱；一对第二N型阱区域，位于第一N型阱区域中；一P型区域，位于此对第二N型阱区域之间的第一N型阱区域中；一...

一集成电路测试方法，包括提供一具有一电压供应器以及一多个控制通道的集成电路测试系统。一第一开关元件连接于电压供应器和一第一集成电路之间，且一第二开关元件连接于电压供应器以及第二集成电路之间。开关元件例如可包括电磁继电器。此继电器可由相对...

本发明公开了一种在平面化工艺中防止对准标记受损的方法及以此方法形成的半导体元件。其中，在平面化工艺中防止对准标记受损的方法包括：提供一衬底，在衬底中形成多个对准标记沟道，在衬底上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二介电层，图案化第二介...

一种工艺废气处理装置包括腔体与漏斗顶盖环。漏斗设置于腔体下方，具有至少一注入孔，设置于接近腔体之处。

一种存储装置，其包括一存储单元阵列，每一存储单元能够储存多位数据。每一存储单元包含可编程晶体管，其与电阻值切换装置串联。晶体管的阈值电压可在与各存储状态相关联的多个不同阈值电压之间切换。电阻值切换装置可在多个与各存储状态相关联的不同电阻...