【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于根基于相变化存储材料的高密度存储装置，例如硫属化物材料及其它可编程电阻存储材料，及此种装置的制造方法。
技术介绍
相变化为基础的存储材料，例如硫属化物或其它类似的材料可以通过施加合适应用于集成电路中的电流阶级而导致在一非晶态与一结晶态之间的相变化。此大致为非晶态具有较大致为结晶态更高的电阻率，其可以很容易被感应而作为指示数据之用。这些特性引起了使用可编程电阻材料作为非易失存储器电路的兴趣，其可以进行随机存取的读取或写入。自非晶状态改变为结晶状态的相变化通常是一较低电流的操作。而自结晶状态改变为结非晶状态的相变化，在此称为复位，一般是一高电流操作，其包含一个短且高电流密度脉冲以熔化或打断此晶相结构，在此相变化材料快速的冷却之后，退火此熔化的相变化材料且允许至少一部份的相变化材料稳定至非晶态。复位操作所需的电流密度可由降低在存储单元内相变化材料元件的大小及/或在电极及相变化材料之间的接触面积，故较高的电流密度可通过使用较小的绝对电流值通过此相变化材料而达成。一个存储单元中的相变化存储元件的尺寸可以通过限制电流于一较小的体积中来减少。在形成一限制存储单...
【技术保护点】
１．一种存储单元，包含一底电极于一存取装置之上，一顶电极具有一第一接触表面，及一存储材料元件与该底电极和该顶电极电性耦接，该存储材料元件具有通常为水平基底部分及一平面垂直部分，其中该存储材料元件的该平面垂直部分的一上方端点为一第二接触表面，其位于该第一接触表面之下。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，马修·J·布雷杜斯克，林仲汉，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，国际商用机器公司，
类型：发明
国别省市：71
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