本发明公开了一种存储器及其使用方法，该存储器是关于许多与非门存储器，其包括具有许多不同版本的高阈值电压分布-一版本具有降低的最大值及另一版本，具有降低最大值的版本具有一降低的字线导通电压。利用本发明，有效地解决了与非门非易失性存储器中读...

本发明公开了一种高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法。高电压金属氧化半导体装置包括一源极、一漏极、一栅极、一漂移区域及一自我保护区域，栅极设置接近于源极，漂移区域实质上设置于漏极与栅极和源极的一区域之间，自我保护区域设置接近于漏极...

本发明公开了一种制造存储器装置及存储单元的方法。此处所描述的制造存储器装置的方法包括：形成一底电极；形成一金属-氧化物存储元件其与该底电极电性耦接；裸露该金属-氧化物存储元件至一气体环境包含氮、氢、氦至少一种，其温度超过100℃；以及形...

本发明公开了一种检测半导体存储装置中干扰存储单元的装置及方法。该检测一存储单元干扰情况的方法，包含施加多个阵列条件至该存储单元且决定该存储单元响应多个阵列条件时是否具有一编程存储单元的行为。假如该存储单元会对该组条件响应为被编程而在另一...

本发明涉及非易失性存储器技术领域，公开了一种用以操作非易失性存储器单元的方法，该非易失性存储器单元具有储存电荷的一电荷捕捉结构，以及包括一栅极区域、源极区域与漏极区域和一本体区域的多个电压终端，该方法包括：响应一指令以增加电子至该电荷捕...

本发明公开了一种电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化只读存储器装置，该装置具有相变化结构，相变化结构包括介于电极的接触表面与介电结构之间的薄部分。举例来说，薄部分的最大厚度小于电极的接触表面的最大宽度。于另一范例中，相变化结构围绕介...

本发明是有关于一种用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法及测试装置。该检测记忆体阵列区缺陷的方法可包含配置具有一第一宽度且与记忆体阵列的一第一导电构件相接而组成一接地导电构件的一活性区，配置具有一第二宽度且与记忆体阵列的一第二导电构件相...

本发明公开了一种用于高电压静电放电(Electrostatic?Discharge，ESD)防护的低电压结构，静电放电防护装置，包括一衬底、一N+掺杂埋藏层(N+doped?buried?layer)、一N型阱区域(N-type?wel...

本发明是有关于一种静电放电保护装置与方法。该静电放电保护装置，用以防护操作在电源电压下的内部电路，并包括防护单元与控制单元。防护单元用以提供放电路径，以将来自焊垫的静电信号导通至接地线。防护单元依据其控制端的电压位准而调整用以决定放电路...

本发明公开了一种化学机械抛光方法，该方法包含提供多个待抛光的半导体元件，取得该多个待抛光的半导体元件中的每一半导体元件的尺寸，并依据该每一半导体元件的该尺寸来抛光该每一半导体元件。利用本发明，无需采用现有技术的回馈控制流程，可精确地控制...

本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体装置具有单条接触垫于源极区域中，包括第一阱、第二阱、场氧化物及多个导电接触垫。第一阱轻掺杂第一掺杂物且形成于基板的一部分内，第一阱的表面具有漏极区域，...

本发明公开了一种集成电路及其操作方法。该集成电路包括一热效应单元和一处理单元。该热效应单元经历一热循环来形成一电能和一暂时通道。该处理单元保有一热循环次数，且透过该暂时通道响应该电能而更新该热循环次数。利用本发明，该热电式射频集成电路在...

本发明公开了具有二极管于存储串行中的三维阵列存储器架构。此处所描述的一种三维存储装置，包含多个长条半导体材料所形成的山脊状叠层且由绝缘层分隔，安排成串行而通过译码电路与感测放大器耦接。二极管在此串行的串行选择端或是共同源极选择端与位线结...

本发明公开了一种于一存储集成电路上进行擦除操作的方法与装置，包括对一擦除操作时的擦除验证及擦除子操作的擦除群组的外侧字线及内侧字线的改善过度擦除问题及耦合效应良分组，其包括(A)多阶接触位于(i)该第一外侧选取字线与(ii)与该第一外侧...

本发明公开了一种测试半导体存储器装置的方法，包括从半导体存储器装置中，同时通过至少二个半导体存储器装置的数据输入/输出连接件，例如是接脚或衬垫，以读取之前的写入测试数据。由此二数据输入/输出连接件所得的多个信号被结合以产生一合成输出信号...

本发明公开了一种半导体芯片中的相变存储器单元及其制造方法。所述方法包含在绝缘衬底内形成非亚光刻介层孔。所述绝缘衬底嵌入于与半导体芯片的第一金属化层(金属1)相同的层上，且包含底部以及侧壁。穿过所述非亚光刻介层孔的底部形成亚光刻孔且使之延...

本发明公开了一种肖特基二极管，包括一欧姆层当作阴极，一金属层当作阳极，一漂流通道由半导体材料形成并在欧姆层和金属层间延伸。此漂流通道包括一重掺杂区域邻接欧姆接触层。漂流通道与金属层形成一肖特基势垒。当肖特基二极管逆向偏压时，夹止机制用于...

本发明是有关于一种记忆元件和与非门快闪记忆体的选取记忆热载子注射方法。本发明所描述的记忆元件，包含多个记忆胞串联安排于一半导体主体中，例如与非门串列中，具有多条字元线。一所选取记忆胞借由热载子注射进行程序化，这些热载子是使用提升通道电位...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其操作方法。该非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有第一储存位置与第二储存位置的多阶记忆胞，其包括下列步骤：设定一主要电压分布群组与多个次要电压分布群组，且主要电压分布群组与这些次要电压分布群组各自包括N...

本发明公开了一种彩色触视觉系统、触觉显示写入器、触觉显示写入单元及方法。该触觉显示写入单元包括具有接触尖端的探针及至少一第一及一第二致动器。第一及第二致动器耦接探针，以此这些致动器的启动导致探针尖端于一个或多个第一方向上位移及第一横向上...