一种存储器1位读取错误检测方法。首先，接收2n位大小的至少一笔数 据片段。接着，依据至少一笔数据片段产生错误修正码、同位检查码及数据 码，并写入于存储器。然后，从存储器读取至少一笔数据片段为至少一笔读 取数据片段。接着，依据至少一笔读取...

本发明提供一种存储器装置，其包含：一金属氧化物存储器元件，位于具有一第一电压的一第一电极与具有一第二电压的一第二电极之间的一电流路径中；一非传导元件，邻近于该金属氧化物存储器元件；一传导元件，位于该第一电极与该第二电极之间的该电流路径中...

本发明公开了一种存储器集成电路装置。此存储器集成电路装置具有字线地址译码电路。此电路允许选取一单一字线具有一擦除电压。一译码器电路包括一反向器及逻辑。此反向器具有一输入及一输出控制字线以进行此擦除操作。一电压范围是在介于第一参考电压与第...

本发明公开了通过改变重置振幅的ＰＣＭ多层单元存储编程，具体地，为一种将一相变化存储装置中的一目标存储单元编程为一目标电阻的方法。该方法包括确定用于该相变化存储装置的一特征最低ＳＥＴ电流以及一相对应ＳＥＴ电阻。该方法包括确定用于该相变化存...

本发明公开了具有内联机结构的三维叠层元件，该具有内联机结构的三维叠层元件具有小的占据面积，用以连接多层级元件中的上层电路结构与其它层级的电路结构。此外，本方面还提供一种具有高效率且低成本的制造具有内联机结构的三维叠层元件的方法。

本发明公开了一种制造存储器元件的方法。钨氧化合物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成，或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括一底电极及一存储器元件，且存储器元件位于底电极上。存储器元件包括至少一钨氧化合物且至...

本发明公开了一种具有高功函数电极的金属氧化物电阻基半导体存储器装置。针对存储器装置或存储器单元提供不同观点，该存储器装置或存储器单元具有一金属氧化物存储器元件，是以电串联配置于沿着在至少一第一电极及一第二电极间的一电流路径，一金属氧化物...

本发明公开了一种可承载高电压的输出缓冲器，包括第一输出晶体管、第一开关、第二开关以及第三开关。第一输出晶体管连接第一操作电压用以输出第一操作电压作为数据信号。第一开关连接第一输出晶体管的基极用以接收致能信号。第二开关连接第一开关以及第二...

本发明描述的源极端感测技术，是根据自此存储单元源极终端所读取的电流与自该读取电流所导入的渗入电流之间的差值来决定储存于存储单元中的资料值。响应由一例如是参考单元所提供的一参考电流源的参考电流的大小而导入此渗入电流。

一种存储器装置，其在第一电极与第二电极之间使用经复合掺杂的相变材料。由相变材料制成的存储器元件位在第一电极与第二电极之间，并具有主动区，相变材料例如是硫属化合物。相变材料具有第一掺质，例如氧化硅，其特征为倾向于在主动区中的晶粒边界上自相...

本发明提供一种程序化一存储装置的方法，该存储装置包含多个存储单元，包含以一第一程序化阶段的一第一临时电压（ＰＰＶ’１）验证目标为一第一阶级的一第一存储单元，在该第一程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化，及使用该第一程序化...

本发明公开了存储器及其制造方法。存储装置包括金属部、第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，第一金属氧化物层位于该金属部上，该第一金属氧化物层包括Ｎ个电阻层级，第二金属氧化物层位于该第一金属氧化物层上，该第二金属氧化物层包括Ｍ个电阻层级，...

本发明一目的为提供一种具有存储器的集成电路装置。此存储器集成电路包括一非挥发存储器阵列、多条位线存取该非挥发存储器阵列、位线放电电路及控制电路。在编程操作期间，所述位线的一位线同时有多条放电路径。

本发明公开了一种存储装置及于该存储装置进行源极端感测的方法，此处所描述的源极端感测技术根据自此存储单元源极终端所读取的电流与自该读取电流所导入的吸入电流之间的差值来决定储存于存储单元中的数据值。此吸入电流响应一个由例如是参考单元的参考电...

本发明公开了一种于一存储单元装置工艺中降低使用于一存储单元元件的相变化材料重新结晶时间的方法。该方法包含选取一相变化材料、一缓冲层材料及一包覆层材料。沉积该缓冲层材料于一衬底上至一缓冲层材料厚度，沉积该相变化材料于该缓冲层材料之上至一相...

本发明公开了一种集成半导体元件的制造方法及其结构。一种集成半导体元件的制造方法。首先，提供具有第一区域及第二区域的衬底。然后，使用同一个工艺而于第一区域形成半导体单元，并于第二区域形成微机电系统单元。

本发明公开了一种具有离子缓冲层的可编程金属化装置及其制造方法。该可编程金属化装置，包含一第一电极；一存储层，与该第一电极电性耦接且适用于电解构成及毁坏一导电桥于其中；一离子供应层，包含一第一金属元素的离子源，其可以扩散进出该存储层；一导...

本发明是有关于一种半导体装置及制造方法。该制造方法，使用衬垫层以防止金属导线受到伤害，包括提供一多层堆叠结构，该多层堆叠结构包含一绝缘基底层、一底阻障层、一顶阻障层、及一介于底阻障层与顶阻障层之间的导电层，蚀刻该多层堆叠结构以提供多条金...

本发明公开了一种串行闪存及其地址传输方法。串行闪存选择性地接收一第一存储器地址或一第二存储器地址，该第一存储器地址及该第二存储器地址分别具有一第一地址长度及一大于该第一地址长度的第二地址长度，若欲接收该第一存储器地址，则于地址时段内将第...

本发明公开了一种具有氮氧化硅隔离层能隙工程隧穿结构的电荷捕捉存储器及其制造方法，该电荷捕捉存储器包含一电荷储存结构，该电荷储存结构包含一捕捉层、一阻挡层、及一隧穿介电结构，该隧穿介电结构包含一薄的隧穿层、一薄的能隙补偿层以及一薄的隔离层...