本发明提供一种具有例如温度、接地电压或是电源电压变动承受能力的集成电路时钟电路。一个改良的时钟集成电路可以在不同的实施例中解决温度、接地电压或是电源电压变动的一种或多种变动。

一种半导体存储器装置包含第一杂质类型的基板、于基板中的不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第一阱区域、于基板中的第一杂质类型的第二阱区域、于基板上延伸于第一与第二阱区域上方的图案化的第一介电层、于图案化的第一介电层上的图案化的第一栅极构造...

本发明是有关于制造一种记忆装置的方法，包括提供一基板具有一绝缘层于该基板之上，形成一第一、一第二及一第三导电层于该绝缘层之上，形成一掩模于该第三导电层之上，使用该掩模蚀刻通过该第三导电层及一部分厚度的该第二导电层以提供一被蚀刻的该第三导...

一种装置的形成方法，包括形成具有一侧壁的一构造的步骤。一侧壁间隙壁形成于该侧壁上。侧壁间隙壁依据一图案被蚀刻以界定该侧壁间隙壁的该宽度。宽度为次光刻等级，包括譬如约４０纳米或更小。

本发明公开一种在一集成电路中产生一升压电压的方法，包含自该集成电路外接收一外部时钟信号，根据一个或多个调变比例改变所接收的外部时钟信号的一频率，因此提供一个或多个个别的调变外部时钟信号。此外部时钟信号或是调变外部时钟信号之一然后被选取作...

一种电阻式存储器的制造方法，包括：于基板上形成第一埋置叠层结构，其中，第一埋置叠层结构由内向外依序包括一第一掺杂层、一第二掺杂层与一第三掺杂层；蚀刻第一埋置叠层结构以形成多个第二埋置叠层结构，其中，这些第二埋置叠层结构各别的第一掺杂层是...

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括记忆元件，且记忆元件包括基底、两堆叠栅、两个间隙壁、绝缘层与介电层。两堆叠栅位于基底上，两堆叠栅之间具有间隙。两个间隙壁分别位于前述间隙之中的各堆叠栅的侧壁上，且间隙壁之间具有缝...

本发明是有关于一种记忆胞及其制造方法以及记忆体结构。该记忆胞，其包括基底、绝缘层、栅极、电荷储存结构、第一源极／漏极区、第二源极／漏极区与沟道层。绝缘层配置于基底上。栅极配置于绝缘层上。电荷储存结构配置于绝缘层与栅极上。第一源极／漏极区...

本发明公开了一种非易失性存储器单元集成电路及其制造方法。该集成电路包含：电荷捕捉结构，用来储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷捕捉结构与该沟...

一种存储器，包括一基板、多条位线、多条字线及至少一氧化物／氮化物／氧化物堆叠结构。此些位线相互平行地设置于基板中。此些字线相互平行地设置于基板上，并与此些位线不垂直交错。氧化物／氮化物／氧化物堆叠结构设置于字线及基板之间。

一种包括自会聚底部电极环的方法及内存单元。该方法包括在基底上形成阶梯间隔件、顶部绝缘层、中介绝缘层以及底部绝缘层。该方法包括在该顶部绝缘层和该中介绝缘层内形成阶梯间隔件。该阶梯间隔件的尺寸容易控制。该方法也包括在具有阶梯间隔件的底部绝缘...

本发明在一个实施方式中提供了一种产生ＰＮ结的方法，所述方法至少包括以下步骤：提供含硅衬底；在所述含硅衬底上形成绝缘层；形成通过所述绝缘层的孔，以曝露出所述含硅衬底的至少一部分；形成所述含硅衬底曝露的部分的种子层；至少在所述种子层上形成非...

本发明公开一种静态拴锁器，包括频率驱动型驱动器（Ｃｌｏｃｋ－ｂａｓｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ）、触发电路（Ａｃｔｕａｔｉｏｎ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）及拴锁单元（Ｌａｔｃｈ　Ｕｎｉｔ）。频率驱动型驱动器包括第一及第二节点、驱动单元、第一及第二开关。驱动...

本发明公开了一种具有自动对准底电极和二极管存取装置的伞状存储单元。在本发明所揭露的存储装置包含多条字线延伸至一第一方向，以及多条位线在该字线之上并延伸至一第二方向。该装置包含多个存储单元在该交点位置。每一存储单元包含一二极管具有第一及第...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其操作方法。该非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有第一储存位置与第二储存位置的多阶记忆胞，并包括下列步骤：设定Ｎ个临界电压分布曲线，其中Ｎ个临界电压分布曲线相对于Ｎ个位准，Ｎ为大于２的整数；当第一与第二...

本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，包括：在一基底上依序地形成一叠层结构以及一消耗层；在该消耗层的周围区域进行一转变工艺以形成一第一绝缘层；移除该消耗层；以及在该叠层结构与该第一绝缘层上形成一导体层。利用本发明，能够避免因非易失性...

本发明揭露一种集成电路，其包括基材、第一导线与垂直二极管。其中，基材包括隔离区域，第一导线形成于基材内的隔离区域间，垂直二极管形成于基材内。集成电路包括耦接至垂直二极管的接点以及耦接至接点的存储元件，且第一导线可作为垂直二极管的一部分。

一种操作具有可区别资料区域的存储器的方法，其是在编程与读取具有左与右资料区域的电荷补捉存储单元时，用来补偿第二位效应的方法。当左与右资料区域中只有一个是待编程时，二步骤编程流程在待编程的资料区域上被执行。当存储单元被读取时，代表左与右资...

本发明公开了一种感测放大器电路及其数据感测方法，该数据感测方法，用以感测存储单元存储的储存数据。数据感测方法包括：首先响应于第一控制讯号的致能电平，将感测节点及参考节点偏压为第一电压；接着响应于第二控制讯号将感测节点及参考节点偏压为第二...

本发明公开了一种中心加热相变化存储器结构及其制造方法。一种存储装置，包含一底电极，及在该底电极之上包含一第一相变化材料的一第一相变化层。在该第一相变化层之上包含一加热材料的一电阻加热器。在该电阻加热层之上包含一第二相变化材料的一第二相变...