非挥发性存储器的低氢浓度电荷捕获层结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供储存单元，其包括：一半导体基板，其具有由通道区域隔开的至少两个源极/漏极区域；一置于所述通道区域上方的电荷捕获结构；以及一置于所述电荷捕获结构上方的栅极；其中所述电荷捕获结构包括一底部绝缘层、一第一电荷捕获层以及一第二电荷捕获层，其中所述底部绝缘层与所述基板之间的接口具有小于约3×1011/cm2的氢浓度，且本发明专利技术提供一形成所述储存单元的方法。

Low hydrogen concentration charge trapping layer structure for non-volatile memory and method for forming the same

The present invention provides a storage unit, which comprises: a semiconductor substrate having at least two sources separated by a channel region and drain region; a charge trapping structure disposed in the channel region; and a gate structure disposed in the charge trapping overhead; wherein the charge trapping structure includes a bottom insulation the first layer, a charge trapping layer and a second charge trapping layer, wherein the bottom between the insulating layer and the substrate interface is less than about 3 * 1011/cm2 concentration of hydrogen, and the invention provides a method for the storage unit.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种非挥发性存储器结构及其形成方法，尤其是有关于一种具有 一低氢浓度电荷捕获层的非挥发性存储器结构及其形成方法。
技术介绍
一非挥发性存储器(“Non-volatile memory,NVM")是指即使从含有NVM单元的 装置移除供电时也能够连续地储存信息的半导体存储器。NVM包含光罩只读存储器(Mask Read-Only Memory, Mask ROM)、可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory, PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory, EPR0M)、 电子式擦除编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPR0M)和闪存。非挥发性存储器广泛用于半导体工业中，且已开发成一防止已编程资料流 失的存储器。通常，可基于装置的最终用途要求来对非挥发性存储器进行编程、读取和/或 擦除，且该已编程的资料可被储存较长一段时间。通常，NVM单元含有一电荷储存层，其是置于该单元的通道区本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种形成非挥发性存储器的方法，其特征在于，由下述步骤组成：在半导体基板表面的一部分上方形成一底部绝缘层；在所述绝缘层上方形成一第一电荷捕获层；对所述底部绝缘层和所述第一电荷捕获层进行一个退火步骤，以使氢从所述底部绝缘层中释放；以及在所述第一电荷捕获层上方形成一第二电荷捕获层，其中所述经受退火后的所述底部绝缘层和所述第一电荷捕获层具有低氢浓度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：施彦豪，吴旻达，李士勤，谢荣裕，赖二琨，谢光宇，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71