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非挥发性存储器的低氢浓度电荷捕获层结构及其形成方法技术
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文档序号:6050003
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本发明提供储存单元,其包括:一半导体基板,其具有由通道区域隔开的至少两个源极/漏极区域;一置于所述通道区域上方的电荷捕获结构;以及一置于所述电荷捕获结构上方的栅极;其中所述电荷捕获结构包括一底部绝缘层、一第一电荷捕获层以及一第二电荷捕获层,...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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