【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于基于存储材料为基础的高密度存储器装置，如相变化存储(PCM)装置，及制造这种装置的方法。此存储材料可以通过施加能量而 在电性状态之间切换。此存储材料可以包含如硫属化物(chalcogenide)以及 其它材料等的相变化材料。
技术介绍
以相变化为基础的存储材料被广泛地运用于读写光盘片中。这些材料 包括有至少两种固态相，包括如一大部分为非晶态的固态相，以及一大体 上为结晶态的固态相。激光脉冲是用于读写光盘片中，以在二种相中切换， 并读取此种材料于相变化之后的光学性质。如硫属化物及类似材料的此等相变化存储材料，可通过施加其幅度适 用于集成电路中的电流，而致使晶相变化。这种特性则引发使用可编程电 阻材料以形成非易失性存储器电路等兴趣。此通常为非晶相状态其特性为 具有较通常为结晶相状态高的电阻率；此电阻值的差异可以感测作为用来 指示数据。这些特性吸引了大家的注意想使用可编程电阻材料以形成非易 失存储电路，其可随机存取以进行读取及写入。从非晶至结晶状态的改变通常是一较低电流的操作。从结晶至非晶状 态的改变，在此表示为复位(reset)，通常是一较高电流的操...
【技术保护点】
一种存储单元，其特征在于，包含： 一底电极层包含一底电极； 一存储单元层于该底电极层之上，该存储单元层包含： 一第一介电层于该底电极层之上； 一第二介电层于该第一介电层之上； 一顶电极于该第二介电层之上，该顶电 极与该底电极分离； 该第一及第二介电层定义一介层孔，该介层孔具有一第一部分由该第一介电层及该底电极所限定，及一第二部分由该第二介电层及该顶电极所限定，该第一部分小于该第二部分且置于该第二部分的中央之上；以及 一存储元件于该介层孔 内，该存储元件包含一存储材料可通过施加能量而在电性状态间切...
【技术特征摘要】
US 2008-1-28 12/020,7171、一种存储单元，其特征在于，包含一底电极层包含一底电极；一存储单元层于该底电极层之上，该存储单元层包含一第一介电层于该底电极层之上；一第二介电层于该第一介电层之上；一顶电极于该第二介电层之上，该顶电极与该底电极分离；该第一及第二介电层定义一介层孔，该介层孔具有一第一部分由该第一介电层及该底电极所限定，及一第二部分由该第二介电层及该顶电极所限定，该第一部分小于该第二部分且置于该第二部分的中央之上；以及一存储元件于该介层孔内，该存储元件包含一存储材料可通过施加能量而在电性状态间切换，该存储元件与该顶电极及该底电极电性连接。2、 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该存储元件与该 顶电极及该底电极直接连接。3、 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该介层孔的该第 一部分包含一狭隘部分而该介层孔的该第二部分包含一放大部分，该狭隘 部分导致能量通过该存储元件时会集中于该狭隘部分。4、 根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，该狭隘部分具有 一高度及一宽度，该宽度小于用来形成该介层孔的该放大部分所用的一光 刻工艺最小特征尺寸。5、 根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，该狭隘部分的该 宽度的变异不大于2纳米。6、 一种制造一存储单元阵列的方法，其特征在于，该方法包含 形成一底电极阵列；形成一分隔层于该底电极阵列之上， 一隔离层于该分隔层之上及一牺 牲层于该隔离层之上；形成一开口阵列于该底电极阵列上方，并延伸进入该分隔层之中； 形成刻蚀掩模于该开口阵列之中；使用该刻蚀掩模刻蚀通过该分隔层，因此裸露出对应的该底电极的上 表面；除去该刻蚀掩模以定义多个介层孔于该分隔层之内，该多个介层孔具 有狭隘部分延伸至对应的该底电极的该多个上表面，且具有放大部分于该 狭隘部分之上；形成存储元件于该多个介层孔之内，该存储元件具有存储元件第一部 份于该狭隘部分之内及具有存储元件第二部份于该放大部分之内，该存储 元件包含存储材料；以及形成顶电极于该存储元件之上。7、 根据权利要求6所述的方法，其特征在于形成一分隔层的步骤包含形成一第一分隔层于该底电极阵列之上及形成一第二分隔层于该第一分隔层之上；该开口阵列延伸通过该第二分隔层；以及该多个介层孔具有该狭隘部分于该第一分隔层之中，且具有该放大部 分于该第二分隔层之中。8、 根据权利要求7所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，林仲汉，马修J布雷杜斯克，陈介方，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，国际商用机器公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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