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本发明公开了一种存储单元及制造存储单元阵列的方法。本发明所公开的存储单元包含一存储单元层具有一第一介电层于该底电极层之上、一第二介电层于该第一介电层之上、及一顶电极于该第二介电层之上。该多个介电层定义一介层孔，具有一第一部分由该第一介电层及...
该专利属于旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司授权不得商用。

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