本发明公开了一种存储装置及制造、操作该装置的方法。此处所描述的一种存储器装置包括多个存储单元位于字线与位线之间。该多个存储单元的存储单元包括一二极管以及一金属－氧化物存储元件可编程至多个电阻状态，其包含一第一电阻状态与一第二电阻状态。该...

本发明揭露一种使用ＢＥ－ＳＯＮＯＳ的２Ｔ?ＮＯＲ存储单元结构以作为嵌入式存储器之用，其包括一存储单元具有各自的存取晶体管及存储晶体管，该存取晶体管具有存取栅极而该存储晶体管具有存储栅极两者串联安排介于对应的位线与该多条参考线之一之间。此...

本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，包括：在一基底上依序地形成一叠层结构以及一消耗层；在该消耗层的周围区域进行一转变工艺以形成一第一绝缘层；移除该消耗层；以及在该叠层结构与该第一绝缘层上形成一导体层。利用本发明，能够避免因非易失性...

本发明公开了一种低操作电流相变存储器元件结构，包括：第一电极，其具有用以限制电流流动的接触表面；相变存储器构件，其与所述第一电极的所述接触表面接触，所述相变存储器构件的宽度大于所述第一电极的宽度；第二电极，其电耦接至所述相变存储器构件；...

本发明揭露一种导线架，其包括一芯片座与多个接脚，该芯片座的背面具有一凹槽。此凹槽定义一边框环绕一凹陷，且此凹陷管控可熔材料的突出。此外，一封装体包含此导线架。此外，一种制造一导线架的方法，包含图案化一金属薄片以形成芯片座与多个接脚，及形...

本发明公开了一种集成电路３Ｄ存储器阵列及其制造方法。该３Ｄ存储器元件是基于电极柱阵列及多个电极平面，所述多个电极平面在界面区与所述电极柱相交，所述界面区包含存储器构件，所述存储器构件包括可编程构件及整流器。可使用二维译码来选择所述电极柱...

本发明揭露一种电极结构及一种制造一集成电路电极的方法，包括形成一包含管状构件的底电极，填充一例如是ｎ型掺杂硅的导电材料，且具有一环状上表面。一碟型绝缘构件由氧化导电填充材料形成在管状构件之上。一可程序电阻材料例如是相变化材料，被沉积与该...

本发明是揭露一种存储器装置及其制造方法。在此描述的一种存储器装置是包含多条字符线于一多条位线之上以及多个场效应晶体管。在此多个场效应晶体管中的场效应晶体管包含一个第一端电性耦接至此多条位线中一条对应位线，一个第二端于此第一端之上，以及一...

本发明是有关于一种记忆体元件以及制造与操作记忆体元件的方法。其中该记忆体元件，其包括基底、导体层、电荷储存层、多个第一掺杂区及多个第二掺杂区。基底中具有多个沟渠。导体层配置在基底上且填入沟渠。电荷储存层配置在基底与导体层之间。第一掺杂区...

一种三维存储单元阵列，包括半导体基体柱及位线柱的一阵列、介电电荷捕捉结构、以及排列成正交于半导体基体柱及位线柱的所述阵列的多个阶层的字符线结构。所述半导体基体柱在相对的第一及第二边具有相对应的位线柱，以提供源极端及漏极端。所述半导体基体...

一种三度空间存储装置，其包含利用绝缘材料分隔多个导电材料的条纹（ｓｔｒｉｐｓ）所形成的多个脊状叠层（ｒｉｄｇｅ－ｓｈａｐｅｄ?ｓｔａｃｋｓ），排列如位线，其可由解码电路（ｄｅｃｏｄｉｎｇ?ｃｉｒｃｕｉｔｓ）与感应放大器耦合。导电材料的条...

本发明公开了一种存储器装置及用于制造一集成电路装置的方法。该方法包含：形成包含硅的一半导体主体，并在此半导体主体内形成多个沟道以定义半导体线，其具有硅且位于相邻沟道之间，且此半导体线具有侧壁。接着一硅化物先驱物被沉积于此沟道内至接触此半...

一种非挥发性存储单元，包括：具有第一导电型的一基底，一栅极结构，具有第二导电型的至少二源极／漏极区，以及具有第二导电型的一埋入式通道区。栅极结构配置于基底上，所述栅极结构包括一个配置于基底上且直接接触基底的氧化硅／氮化硅／氧化硅层，和配...

本发明提出一种具有自对准于双极接面晶体管存取装置的射极的存储元件的存储单元及此种装置的制造方法。在此所述的储存装置包括多个存储单元。在这些存储单元中的存储单元包含一包括射极的双极接面晶体管（ＢＪＴ），该射极包括掺杂的多晶硅柱。这样的存储...

本发明描述一种电荷捕捉存储器的编程方法和擦除方法，而该电荷捕捉存储器通过使用衬底瞬时热电子技术来进行编程，并通过衬底瞬时热空穴技术来进行擦除，并模拟与非门（ＮＡＮＤ）存储器操作的富勒－诺得罕（ＦＮ）隧穿方法。本发明的方法可广泛的应用在电...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置的操作方法，包括下列步骤：根据一使用者数据产生一第一错误校正码；接着，将使用者数据写入至存储器装置；之后，读取存储器装置中的使用者数据，并根据读取到的使用者数据产生一第二错误校正码；此外...

本发明公开了一种半导体装置的栅极结构及字线结构与存储器的形成方法。一种栅极结构，应用于一半导体装置。栅极结构包括一导电结构。导电结构绝缘地设置于一衬底上。导电结构包括一中央部及二间隔部。中央部具有一第一表面与二个第二表面。第一表面位于二...

本发明公开了一种氧化铝铜为主的存储器元件及其制造方法。存储器元件包括第一电极及第二电极。存储器元件更包括二极管及包括氧化铝及氧化铜的反熔丝金属氧化物存储器构件。二极管与金属氧化物存储器构件电串联排列在第一电极与第二电极之间。

本发明是有关于一种图案化的方法。首先，在基底上形成材料层。然后，在材料层上形成灰化层。接着，在灰化层上形成图案化转移层，其中图案化转移层具有小于曝光极限尺寸的关键尺寸。之后，以图案化转移层或图案化转移层的补偿层为掩模，来图案化灰化层，以...

本发明公开了一种存储器以及使用于一存储器编程命令的方法。此存储器包括缓冲器以及至少一编程单元。此方法包括以下步骤。首先，将编程命令输入存储器。接下来，将用户数据输入缓冲器。读取编程单元的数据。确定用户数据是否装满缓冲器。若用户数据未装满...