本发明是有关于一种记忆体及记忆体的制造方法。该记忆体，其配置于基底上，且基底中具有平行排列的多个沟渠。此记忆体包括栅极结构与掺杂区。栅极结构配置于沟渠之间。掺杂区配置于栅极结构的一侧，位于沟渠之间的基底中以及沟渠的侧壁与底部中。位于沟渠...

本发明是有关于一种隔离结构、具有隔离结构的非挥发性记忆体及其制造方法。该形成一隔离结构的方法，包含：ａ）提供具有一凹陷的一基底；ｂ）形成一停止层于该凹陷中及该基底上；ｃ）形成一介电材料于该停止层上，使得其余的该凹陷中填满该介电材料；ｄ）...

本发明公开了一种存储器编码方法，可用以减少存储器损耗而延长存储器使用寿命，该方法包括以下步骤：Ａ．接收多个二进制码，其中该二进制码包括表示需进行编程的一第一二进制码与表示不需进行编程的一第二二进制码；Ｂ．统计该多个二进制码中为该第一二进...

本发明公开了一种具有具非矩形横截面存储器装置及其制造方法和 操作方法。非矩形横截面可为反T型、梯形形状或双反T型。公开了一种 用于生产归因于浮置栅极的增加的表面积而具有改良耦合比率的浮置栅 极存储器装置的方法。存储器装置具有具诸如反T型...

本发明涉及一种在系统中使用移动通讯装置作为储值装置的付费交易处理方法。一交易操作服务器由储值装置中接收多笔交易记录，其中一笔透过电信业者网络的一通讯路径，以及其它透过一独立通讯路径。而这些记录在该交易服务器上协调作为交易确认。

本发明公开了一种编程方法及应用该编程方法的存储器装置。该编程方法，应用于一存储器，存储器具有多个存储单元（ｍｅｍｏｒｙ　ｃｅｌｌ）。此方法包括下列步骤。响应于一第一编程指令，以对此多个存储单元的其中之一目标存储单元进行编程。响应于一第二...

本发明公开了一种存储器及其读取方法。该存储器包括多个存储器区，每一个存储器区包括一目标存储单元、一源极线、一位线以及一读取控制电路。源极线耦接至目标存储单元的第一端。位线耦接至目标存储单元的第二端。读取控制电路用以选择性地施加一工作电压...

本发明公开了一种存储器装置与其控制方法，其中存储器装置包括第一缓存器与第二缓存器，且所述控制方法包括下列步骤：提供第一读取指令以及第一地址；接着，合并第一地址与来自第一缓存器的第一预设地址，以取得第一延展地址；之后，依据第一延展地址来读...

本发明公开了一种用于序列周边接口增强读取效能的方法与系统。自一集成电路中读取数据的方法，包含：接收一读取命令，该读取命令与一增强数据读取相关，且自多个输入／输出接脚接收一第一地址。此方法包含接收一第一效能增强指示，且根据至少一个与该第一...

本发明公开了一种具有上下侧壁接触的相变化存储装置及其制造方法。该存储装置包括存储元件以及第一电极，第一电极包括环绕存储元件的内表面，且第一电极的内表面于第一接触面接触该存储元件。该装置也包括相对于第一电极间隔设置的第二电极，第二电极包括...

本发明涉及一种相变化存储器的测试与制造方法，包含施加一测试脉冲序列至该装置的一存储单元，而该测试脉冲使得通过该存储单元的电流具有会受到该测试脉冲影响的振幅。量测该存储单元电阻，以响应该测试脉冲序列。由该电阻量测中，筛选一参数集，而其包含...

本发明公开了一种具有扭转的数据线的非易失性存储装置，扭转的数据线以避免过度擦除的存储单元结果与正常的存储单元结果耦合。此存储器中过度擦除数据线所诱发的噪声可以通过扭转的数据线及差动感测放大器以避免与相邻数据线耦合。耦合至数据线上的噪声可...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置通过电绝缘层自存储材料的实体分离以建立高电阻状态且通过电绝缘层的至少一部分再合并至存储材料中以建立低电阻状态来编程及擦除。编程及擦除的实体机制包含移动结构空位以形成空隙及／或掺杂材料与...

本发明公开了一种相变化存储器的多晶硅栓塞双极性晶体管及其制造方法。该相变化存储器的多晶硅栓塞双极性晶体管包括多个存储单元，且每个存储单元包括双极性结晶体管与存储元件。该双极性结晶体管是以共集极组态方式耦接，且包括射极，射极包括具有第一导...

本发明公开了一种空乏模式的电荷捕捉快闪装置，位于一衬底之上，包含多个半导体线（例如与主体接触的鳍状物）。该些半导体线包含掺杂的埋藏通道区域，其可进行空乏模式运作。一储存结构位于该多个半导体在线，包含位于该鳍状物通道区域上的隧穿绝缘层、该...

一种３Ｄ相变存储器元件是基于电极柱阵列及多个电极平面，所述多个电极平面在界面区与所述电极柱相交，所述界面区包含存储器构件，所述存储器构件包括可程序化相变存储器构件及临界值切换构件。可使用二维解码来选择所述电极柱，且可使用第三维上的解码来...

本发明为一种相变存储器，包括一基底、多个下电极、多个上电极、多个相变化材料层以及多个防止热干扰部。下电极是设置于基底中，上电极则是设置于基底上。而相变化材料层是位于上、下电极之间，且每一相变化材料层是与下电极其中之一与上电极其中之一导通...

一种图案化的方法。首先，于目标层上依序形成掩膜层及多个第一转移图案。接着，于第一转移图案之间的间隙中形成多个第二转移图案。然后，于第一转移图案与第二转移图案之间的间隙中形成多个第三转移图案。之后，以第一转移图案、第二转移图案及第三转移图...

一种资料保护方法，用以对存储器中的笔资料进行保护。存储器包括挥发性（Ｖｏｌａｔｉｌｅ）存储器及非挥发性（Ｎｏｎ－ｖｏｌａｔｉｌｅ）存储器，非挥发性存储器储存一笔资料保护信息。资料保护方法包括下列的步骤。首先，将非挥发性存储器中的该笔资料...

本发明揭示一种晶片表面量测机台的散热系统。首先提供一晶片表面量测机台，其内具有一机板室，其中，机板室具有数个通气孔与一盖板以覆盖且关闭机板室。所述散热系统至少包括：一吸气装置，吸气装置装设于盖板上且连通至机台外部，以使得置于机板室内的数...